型号：UPA1C681MPD
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.4A（@TC=70°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：17.6A
　　导通电阻（RDS(on)）：27mΩ（@VGS=10V, ID=2.2A）
　　导通电阻（RDS(on)）：34mΩ（@VGS=4.5V, ID=2.2A）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：500pF（@VDS=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：20ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8
　　功率耗散（PD）：1.25W（@TA=25°C）

UPA1C681MPD具备多项优异的电气与物理特性，使其在同类功率MOSFET中脱颖而出。首先，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在VGS=10V条件下，RDS(on)仅为27mΩ，在VGS=4.5V时也仅为34mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够有效延长续航时间。低RDS(on)还意味着在相同电流下产生的热量更少，有助于简化热管理设计，减少散热器需求。
　　其次，UPA1C681MPD具有优异的开关特性。其输入电容（Ciss）仅为500pF，配合快速的开启和关断延迟时间（分别为10ns和20ns），使得器件能够在高频开关环境中稳定运行。这一特性使其非常适合用于同步整流、高频DC-DC转换器等对响应速度要求较高的应用。快速开关不仅提升了效率，还能减小外围滤波元件的尺寸，从而进一步缩小整体电路体积。
　　再者，该器件的栅极阈值电压范围为1.0V至2.5V，属于标准逻辑电平兼容类型，可直接由微控制器或逻辑IC驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并降低了成本。同时，其最大栅源电压为±20V，具备一定的过压耐受能力，增强了系统的鲁棒性。
　　在可靠性方面，UPA1C681MPD的工作结温可达+150°C，表明其在高温环境下仍能保持稳定性能。SOP-8封装不仅节省空间，还提供了良好的热传导路径，有助于将芯片热量有效传递至PCB。此外，器件符合RoHS和Green标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代环保制造要求。综合来看，UPA1C681MPD在效率、尺寸、驱动便利性和可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率开关应用中的优选器件。

UPA1C681MPD的应用领域广泛，主要集中在需要高效、小型化功率开关的电子系统中。最常见的应用场景之一是DC-DC转换器，尤其是在降压（Buck）拓扑结构中作为同步整流开关使用。由于其低导通电阻和快速开关特性，能够显著提升转换效率，降低温升，适用于笔记本电脑、平板电脑、路由器等设备的电源模块。
　　另一个重要应用是负载开关电路。UPA1C681MPD可用于控制电源路径的通断，例如在多电源系统中实现电源切换、上电时序控制或防止反向电流。其低导通电阻确保了在导通状态下压降极小，避免不必要的能量损失，同时快速响应能力有助于实现精确的电源管理。
　　在电池供电系统中，如移动电源、手持设备和便携式仪器，UPA1C681MPD可用于电池充放电管理电路或作为主开关元件，帮助实现低静态功耗和高效率运行。此外，该器件也可用于LED背光驱动电路，特别是在需要PWM调光的场合，其快速开关能力可以确保调光精度和平滑度。
　　工业控制和通信设备中也常见其身影，例如用于传感器电源控制、继电器驱动或信号切换。由于其SOP-8封装易于自动化装配，且具备良好的热性能，因此在批量生产的消费类电子产品中被广泛采用。总体而言，凡是需要在30V以下电压范围内进行高效、快速功率切换的场景，UPA1C681MPD都是一个可靠且经济的选择。

UPA1H681TDE1
　　DMG2305U
　　AO3400
　　Si2300DS
　　FDS6680