型号：UPA1C222MHD
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：9.7A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：39A
　　导通电阻(RDS(on))：最大11.5mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：最大8.2mΩ @ VGS=10V
　　阈值电压(Vth)：典型值1.2V，范围0.8V~1.6V
　　输入电容(Ciss)：典型值540pF @ VDS=10V
　　输出电容(Coss)：典型值210pF @ VDS=10V
　　反向传输电容(Crss)：典型值50pF @ VDS=10V
　　栅极电荷(Qg)：典型值8.5nC @ VGS=10V
　　开启延迟时间(td(on))：典型值7ns
　　关断延迟时间(td(off))：典型值18ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：HVSOF-8
　　安装类型：表面贴装(SMD)

UPA1C222MHD采用先进的沟槽栅极技术，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗并提高系统整体效率。其超低的导通电阻在VGS=4.5V时仅为11.5mΩ，在更高栅压10V下可进一步降低至8.2mΩ，这使得该器件在大电流应用场景中表现出色，尤其适合用于同步整流和低电压高电流电源设计。
　　该MOSFET具有优异的开关特性，包括低栅极电荷（Qg典型值8.5nC）和低寄生电容（Ciss=540pF），能够实现快速的开关响应，有效降低开关损耗，提升高频操作下的能效表现。这对于现代高频率DC-DC转换器尤为重要，有助于减小外部滤波元件尺寸并提升功率密度。
　　器件的阈值电压典型值为1.2V，保证了在低控制电压下也能可靠开启，兼容3.3V或更低逻辑电平驱动信号，适用于由微控制器或专用电源管理IC直接驱动的应用场景。同时，其±12V的栅源电压额定值提供了足够的安全裕度，防止因电压瞬变导致的栅氧层击穿。
　　HVSOF-8封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优良的散热性能，通过底部散热焊盘可将热量有效传导至PCB，增强热稳定性。这种封装形式特别适合自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。
　　此外，UPA1C222MHD经过严格的质量认证，具备高可靠性和长寿命，可在-55°C至+150°C的宽结温范围内稳定工作，适应各种恶劣环境条件。其内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流功能的拓扑结构。综合来看，该器件在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡，是中小功率电源系统的理想选择。

UPA1C222MHD广泛应用于多种电源管理和功率控制场景。常见用途包括同步降压型DC-DC转换器中的主开关或整流开关，因其低RDS(on)和快速开关能力可显著提升转换效率，适用于主板VRM、POL(point-of-load)电源模块及嵌入式处理器供电系统。
　　在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中，该器件常被用作电池供电路径上的负载开关或电源切换开关，实现对不同子系统的上电时序控制和待机功耗管理。其低静态损耗和高集成度有助于延长设备续航时间。
　　此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，特别是在微型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为低端或高端开关使用，提供精确的电流控制能力。
　　在LED背光驱动和恒流源设计中，UPA1C222MHD可用于调节电流路径的通断，配合PWM调光实现亮度控制。其快速响应特性确保调光过程平滑无闪烁。
　　工业领域中，该器件可用于传感器电源管理、继电器驱动替代方案以及PLC输入输出模块中的固态开关，取代传统机械继电器以提高系统可靠性和寿命。
　　汽车电子方面，虽然非AEC-Q101认证版本不适用于关键安全系统，但仍可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理等非动力总成应用中，尤其是在12V低压系统中作为辅助电源开关使用。其稳定的温度特性和抗干扰能力确保在复杂电磁环境中仍能正常工作。

SMP102N02VG-R8
　　DMG1012UFG-7
　　AOZ5238EQI-03