型号：UPA1C152MPD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：4.4 A
　　脉冲漏极电流（Id_pulse）：17.6 A
　　导通电阻 Rds(on)：24 mΩ（Vgs = 4.5 V）
　　导通电阻 Rds(on)：30 mΩ（Vgs = 2.5 V）
　　阈值电压（Vth）：0.6 V ~ 1.0 V
　　输入电容（Ciss）：410 pF
　　输出电容（Coss）：120 pF
　　反向传输电容（Crss）：30 pF
　　栅极电荷（Qg）：8.5 nC
　　功率耗散（Pd）：1 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C to +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C to +150°C
　　封装类型：S-Mini(P)
　　安装方式：表面贴装（SMD）

UPA1C152MPD具备优异的电气特性和热稳定性，其核心优势之一是低导通电阻Rds(on)，在Vgs = 4.5V时仅为24mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。这对于电池供电设备尤为重要，能够延长续航时间并减少发热问题。由于其Rds(on)在低栅极电压下仍保持较低水平（如2.5V时为30mΩ），该器件非常适合用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的应用场景，避免了使用额外的驱动电路，从而降低了系统成本和复杂性。
　　该MOSFET具有快速的开关速度，得益于较小的栅极电荷（Qg = 8.5nC）和较低的输入/输出电容，使得其在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流型DC-DC转换器或负载开关电路中可实现高效能量转换。同时，其反向传输电容（Crss）仅为30pF，有助于抑制米勒效应，提高抗噪声能力，防止误触发，增强系统的稳定性与可靠性。
　　UPA1C152MPD采用S-Mini(P)封装，具有较小的外形尺寸（典型为2mm x 2mm级别），非常适合高密度PCB布局需求。该封装还优化了散热路径，通过底部导热焊盘将热量有效传导至PCB，提升热管理效率。结合1W的最大功率耗散能力和宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C），使其可在恶劣环境条件下稳定运行。
　　此外，该器件具备良好的雪崩耐受能力和坚固的栅氧化层设计，能够在瞬态过压或负载突变情况下提供一定的保护作用。内置体二极管也经过优化，具有较低的正向压降和较快的反向恢复时间，适用于需要续流功能的拓扑结构。综合来看，UPA1C152MPD在性能、尺寸、效率和可靠性方面均表现出色，是现代低电压功率开关应用中的理想选择。

UPA1C152MPD广泛应用于多种低电压、高效率的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备，用于电池充放电控制、负载开关或电源路径管理。在这些设备中，其低Rds(on)和小封装特性有助于减少空间占用并提升能效。
　　该器件也常用于DC-DC降压或升压转换器中，作为同步整流开关或主开关元件，特别是在轻载和中等负载条件下表现出优异的转换效率。由于其支持逻辑电平驱动，可直接由MCU GPIO或PWM控制器驱动，因此在嵌入式系统和物联网设备中被广泛采用。
　　此外，UPA1C152MPD适用于电机驱动电路中的低端开关，控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，常见于玩具、家用电器和自动化装置中。在LED照明驱动方案中，也可作为恒流调节开关使用，实现高效的亮度控制。
　　工业控制领域中，该MOSFET可用于传感器电源开关、继电器驱动或信号切换电路，提供快速响应和低功耗操作。其高可靠性与宽温度范围适应性使其能在工业环境或户外设备中稳定运行。总之，凡是需要小型化、高效能N沟道MOSFET的低压开关应用，UPA1C152MPD都是一个极具竞争力的选择。

FDMC86228
　　SI2302DDS-E3
　　AOZ4272AQP