时间：2025/12/25 19:05:11
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TSM500P02DCQ是一款由台湾半导体公司（Taiwan Semiconductor）生产的MOSFET功率晶体管，专为高效率电源管理和功率开关应用设计。该器件采用先进的沟槽式场效应技术制造，具备低导通电阻、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于多种工业、消费类电子和通信设备中的电源转换与控制电路。TSM500P02DCQ属于N沟道增强型MOSFET，其封装形式为DFN5x6（双扁平无引脚），具有较小的占位面积和良好的散热性能，适合对空间要求严格的紧凑型电子产品布局。这款MOSFET在同步整流、DC-DC变换器、电机驱动以及电池管理系统中表现出色，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。由于其优化的栅极电荷特性，TSM500P02DCQ在高频开关应用中也能保持较低的开关损耗，从而提高电源系统的动态响应能力与可靠性。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，广泛应用于绿色节能电子产品中。
型号：TSM500P02DCQ
类型：N沟道，增强型MOSFET
漏源电压VDS：20V
栅源电压VGS：±12V
连续漏极电流ID：50A（@TC=25℃）
脉冲漏极电流IDM：150A
导通电阻RDS(on)：2.3mΩ（@VGS=10V, ID=25A）
导通电阻RDS(on)：2.8mΩ（@VGS=4.5V, ID=25A）
阈值电压VGS(th)：1.0V ~ 2.0V
栅极电荷Qg：25nC（@VGS=10V）
输入电容Ciss：2200pF（@VDS=10V）
输出电容Coss：600pF
反向恢复时间trr：<50ns
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装：DFN5x6 (5mm x 6mm)
TSM500P02DCQ采用先进的沟槽式MOSFET结构，这种设计通过在硅片表面构建垂直导电沟道，显著降低了单位面积下的导通电阻，从而实现了超低的RDS(on)值，在大电流应用场景下可有效减少功率损耗和发热。其典型的导通电阻仅为2.3mΩ（在VGS=10V条件下），即使在高负载电流如50A的情况下，也能维持较低的压降，有助于提升电源转换效率。同时，该器件具备出色的热稳定性，得益于其DFN5x6封装底部集成的散热焊盘，能够快速将内部产生的热量传导至PCB，增强了长期运行的可靠性和寿命。
该MOSFET的栅极驱动特性经过优化，具备较低的栅极电荷（Qg=25nC）和米勒电容（Crss），使其在高频开关应用中表现出优越的开关速度和响应能力，减少了开关过程中的能量损耗，特别适用于高频率DC-DC变换器和同步整流电路。此外，其阈值电压范围适中（1.0V~2.0V），兼容主流逻辑电平信号驱动，可直接由控制器或驱动IC进行控制，无需额外升压电路，简化了系统设计复杂度。
TSM500P02DCQ还具备较强的抗浪涌电流能力，脉冲漏极电流可达150A，能够在瞬态负载变化或启动过程中承受短时高峰值电流冲击而不损坏。其内部结构也具有良好的抗雪崩能力，提升了在异常工况下的鲁棒性。所有材料均符合RoHS指令要求，支持回流焊工艺，并通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温存储（HTSL）和温度循环试验，确保在严苛环境下的稳定工作。
TSM500P02DCQ广泛应用于各类高效能电源管理系统中，尤其适合用于低压大电流的DC-DC降压变换器，例如服务器主板、笔记本电脑和嵌入式系统的VRM（电压调节模块）中作为上管或下管使用。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为同步整流拓扑中的理想选择，可用于替代传统肖特基二极管以提高转换效率。在电池供电设备中，如移动电源、电动工具和无人机等，该器件可用于电池充放电管理电路或电机驱动H桥结构中，实现高效的能量传输与控制。此外，它也可用于LED驱动电源、热插拔控制器、负载开关以及各种工业自动化设备中的功率切换模块。由于其小型化DFN封装，非常适合空间受限的便携式电子产品设计，同时仍能提供卓越的电气性能和热管理表现。在通信设备如基站电源模块和网络交换机中，TSM500P02DCQ也被用于多相并联供电架构中，以满足高性能处理器对低电压、大电流供电的需求。
TSM500P02DCQ
