型号：UPA1A562MHD
　　制造商：Rohm
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：9.4A（Ta=25°C），7.0A（Tc=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：37.6A
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ（@ Vgs=10V），20mΩ（@ Vgs=4.5V）
　　栅极电荷（Qg）：13nC（@ Vds=15V, Id=4.7A）
　　输入电容（Ciss）：570pF（@ Vds=15V）
　　开启延迟时间（td(on)）：10ns
　　关断延迟时间（td(off)）：24ns
　　反向恢复时间（trr）：24ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HVSOF-5（带散热焊盘）

UPA1A562MHD具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻是该器件的核心优势之一。在Vgs=10V条件下，Rds(on)仅为16mΩ，而在常见的4.5V驱动电压下仍可保持20mΩ的低阻值，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性使其特别适用于大电流、低电压的DC-DC降压变换器中作为同步整流管或主开关管使用。此外，低Rds(on)还有助于减少发热，降低对散热设计的要求，从而简化热管理方案。
　　该器件采用了先进的沟槽型MOSFET工艺，提升了单位面积的载流能力，并优化了电场分布，增强了器件的耐压能力和可靠性。其快速的开关响应能力体现在较低的栅极电荷（Qg=13nC）和输入电容（Ciss=570pF），使得驱动电路所需的驱动功率较小，有利于实现高频开关操作，适用于工作频率较高的开关电源设计。同时，较短的开启延迟时间（10ns）和关断延迟时间（24ns）确保了精确的开关时序控制，减少了开关过程中的交越损耗。
　　HVSOF-5封装不仅体积小巧，还集成了底部散热焊盘，能够通过PCB上的热过孔将热量有效传导至地层或散热层，大幅提升热耗散能力。这种封装设计在保持小型化的同时兼顾了功率处理能力，非常适合高密度组装的便携式电子产品。此外，该器件具有良好的抗雪崩能量能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护功能，提高系统鲁棒性。内置的体二极管也具备较快的反向恢复时间（trr=24ns），减少了反向恢复引起的开关损耗和噪声干扰，进一步提升了高频应用中的性能表现。

UPA1A562MHD广泛应用于各类需要高效能、小尺寸功率开关的电子系统中。典型应用场景包括便携式设备如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源管理单元，用于电池充放电控制、负载开关和电压调节模块。在这些设备中，该MOSFET常被用作DC-DC buck或boost转换器的同步整流开关，以最大限度地提高转换效率并延长电池续航时间。
　　此外，它也适用于工业控制领域的低电压电机驱动电路，作为H桥或半桥结构中的开关元件，控制直流电机或步进电机的启停与转向。由于其良好的热稳定性和电流承载能力，还可用于LED照明驱动电源中，特别是在恒流驱动拓扑中作为开关管使用，确保亮度稳定且能耗最低。
　　在消费类电子产品如游戏机、路由器、智能家电中，UPA1A562MHD可用于多路电源分配和上电时序控制，实现各子系统的有序启动与关闭。其兼容3.3V逻辑电平的栅极驱动特性，使其可以直接由MCU或电源管理IC驱动，无需外加驱动芯片，简化了电路设计。同时，该器件也适用于USB电源开关、热插拔控制器以及各种过流保护电路中，作为主控开关元件，提供快速响应和低功耗运行。凭借其高可靠性和成熟工艺，该MOSFET同样适用于汽车电子中的非动力域低压电源系统，如车载信息娱乐系统、传感器供电模块等，满足AEC-Q101可靠性标准的相关要求。

SiSS108DN-T1-E3
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　　FDS6680A