型号：UPA1A102MPD6
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　封装/外壳：S-Mini3 (DFN1010D-3)
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　栅源电压(VGSS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：1.1A @ Ta=25°C
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：4.4A
　　导通电阻(RDS(on))：320mΩ @ VGS=4.5V
　　导通电阻(RDS(on))：400mΩ @ VGS=2.5V
　　导通电阻(RDS(on))：500mΩ @ VGS=1.8V
　　栅极阈值电压(Vth)：0.4V ~ 0.8V
　　输入电容(Ciss)：15pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　输出电容(Coss)：6pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　反向传输电容(Crss)：0.5pF @ VDS=10V, VGS=0V
　　开启延迟时间(td_on)：2ns
　　上升时间(tr)：1.5ns
　　关闭延迟时间(td_off)：4ns
　　下降时间(tf)：1.2ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围(Tstg)：-55℃ ~ +150℃

UPA1A102MPD6具备多项优异的电气与物理特性，使其成为小型化高性能电源系统中的理想选择。首先，其超低导通电阻在同类产品中表现突出，特别是在VGS=4.5V条件下，RDS(on)仅为320mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率，尤其适用于电池供电设备以延长续航时间。即使在更低的驱动电压下，如1.8V或2.5V，其导通电阻依然保持在合理范围内，确保了在低功耗模式下的有效控制能力。
　　其次，该器件采用了Rohm独有的沟槽结构技术和薄晶圆工艺，实现了在极小封装内的高性能输出。S-Mini3封装不仅体积微小，还优化了散热路径，使芯片结到PCB之间的热阻降低，从而提升了功率密度和长期运行的可靠性。此外，封装本身无引脚设计减少了寄生电感，有利于高频开关应用中的EMI抑制。
　　再者，UPA1A102MPD6具有非常快的开关速度，开启延迟时间仅2ns，上升时间1.5ns，配合低输入和输出电容，使其能够在高达数MHz的开关频率下稳定工作，适用于同步降压或升压转换器中的整流元件。其低栅极电荷（Qg）进一步减少了驱动损耗，适合集成在高集成度PMU或电源模块中。
　　最后，该MOSFET经过严格的质量认证，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，支持无铅和符合RoHS环保要求，适用于消费类、工业及车载电子等多种应用场景。内置的体二极管也具备较快的反向恢复特性，有助于减少开关瞬态过程中的能量损耗和电压尖峰。

UPA1A102MPD6因其小型化、高效能和低电压驱动特性，被广泛应用于多种便携式和高密度电子系统中。在移动设备领域，它常用于智能手机和平板电脑中的电源路径管理，作为电池与主电源之间的负载开关，实现系统的快速上电与断电控制，同时防止反向电流流动，保护电池安全。
　　在DC-DC转换器电路中，该MOSFET可作为同步整流器使用，替代传统肖特基二极管，大幅降低导通压降和功耗，提升整体转换效率，尤其是在轻载和中等负载条件下优势明显。其快速开关能力也使其适用于紧凑型 buck 或 boost 变换器，满足处理器核心供电或外设电源的需求。
　　此外，该器件还可用于LED驱动电路，特别是在闪光灯或背光模块中作为开关元件，利用其低RDS(on)实现恒流控制的精确调节。在可穿戴设备如智能手表、健康监测手环中，UPA1A102MPD6帮助实现更薄的设计和更长的待机时间。
　　其他应用包括TWS耳机充电仓的充放电控制、IoT传感器节点的电源门控、USB电源开关、LDO旁路开关以及各类需要微型化MOSFET的嵌入式系统。由于其符合汽车电子标准，也可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块中的低功率电源切换场景。

DMG1012UFG-7
　　AO1812
　　FDS6670AZ