时间：2025/7/23 19:11:46
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IXTP182N055T 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于需要高效、高功率密度的开关应用，广泛用于电源转换器、马达控制、电池管理系统以及工业自动化设备中。该 MOSFET 采用先进的技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，有助于减少系统损耗并提高整体效率。
类型：N 沟道
漏极电流（Id）：182A
漏极-源极击穿电压（Vds）：55V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约 2.9mΩ（典型值）
功率耗散（Pd）：350W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-247
IXTP182N055T 具备多项优异特性，包括低导通电阻、高电流承载能力和快速开关速度，适合用于高频开关电路。其低 Rds(on) 特性可显著降低导通损耗，从而提升电源系统的整体效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和耐久性，能够在高负载条件下长时间运行而不会出现性能下降。TO-247 封装形式便于安装和散热管理，适用于高功率密度设计。
该 MOSFET 的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计流程。其高耐用性和可靠性使其在恶劣环境中也能稳定运行，适用于汽车电子、工业电机控制、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等多种应用场景。
另外，该器件具有良好的短路耐受能力，可在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，增强了系统的安全性和稳定性。
IXTP182N055T 常用于高性能电源系统中，如 DC-DC 转换器、AC-DC 电源模块、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，它也适用于电动工具、电动汽车的车载充电器、太阳能逆变器和储能系统等高功率应用场合。
IXTP180N055T, IXTK180N055T, IXTF180N055T
