时间：2025/6/20 22:07:55
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UPA1870BGR 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的场景。该器件采用先进的半导体制造工艺，具有出色的开关特性和较低的导通损耗。其封装形式为 TO-263（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），能够满足多种工业和消费电子领域的需求。
该功率 MOSFET 主要用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用中，能够提供高效且可靠的性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：52A
导通电阻：2.9mΩ
栅极电荷：82nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263（DPAK）
UPA1870BGR 的主要特点是其非常低的导通电阻（Rds(on)），仅为 2.9mΩ，这使得它在大电流应用中表现出色，能有效减少功率损耗并提升系统效率。
此外，该器件具有较高的雪崩耐量能力，可以承受瞬间过载而不损坏，增强了系统的可靠性和稳定性。
由于采用了 TO-263 封装，UPA1870BGR 具有良好的散热性能，并支持自动化表面贴装生产，非常适合大规模制造环境。
该 MOSFET 还具备快速开关能力，适用于高频应用场合，同时其低栅极电荷特性有助于降低驱动功耗。
UPA1870BGR 广泛应用于各类电力电子设备中，典型应用场景包括但不限于以下：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流管
3. 电机驱动电路中的功率开关
4. 各类负载开关应用
5. 电池管理系统中的保护开关
6. 工业控制及家电领域的功率转换模块
其低导通电阻和高电流处理能力使其成为这些应用的理想选择。
IRLZ44N, FDP55N06L, AO3400
