时间：2025/6/26 1:01:36
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TFD250N03U 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 STMicroelectronics 生产。该器件采用 TOLL 封装，适用于高效率开关应用，如 DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理等。它具有低导通电阻和高电流处理能力，适合要求高性能和低损耗的应用场景。
该 MOSFET 的额定电压为 30V，能够承受高达 250A 的连续漏极电流（在特定条件下）。其优化的芯片设计确保了出色的开关性能和热特性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：250A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
栅极电荷：180nC
输入电容：4060pF
最大功耗：150W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 增强的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 具备优异的雪崩能力和抗静电能力（ESD），增强了器件的可靠性。
7. 小巧的 TOLL 封装形式，有助于节省 PCB 空间。
1. 工业级 DC-DC 转换器及逆变器。
2. 电动车辆中的牵引逆变器和电池管理系统。
3. 高效电机驱动和伺服控制器。
4. 开关模式电源（SMPS）以及不间断电源（UPS）。
5. 大功率负载切换和保护电路。
6. 可再生能源领域，例如太阳能微型逆变器或风力发电机控制单元。
7. 高性能音频放大器和其他需要高效功率传输的应用场景。
TFD200N03L
IRLB8729PBF
STP250N3LLH5
