时间:2025/12/24 4:48:03
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UPA1716G-E2 是一款高性能的 N 沃特(N-Channel)功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效率和低损耗的场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著提高系统效率并降低热损耗。
UPA1716G-E2 的封装形式为 TO-252(DPAK),适合表面贴装技术(SMT),有助于提升生产效率并节省电路板空间。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:16A
导通电阻(Rds(on)):8mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:34nC
反向恢复时间:60ns
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
存储温度范围:-65℃ 至 +150℃
UPA1716G-E2 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低传导损耗。
2. 快速开关速度,减少开关损耗。
3. 高雪崩能量能力,增强器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
5. 稳定的动态性能和栅极鲁棒性,确保在高频应用中的可靠性。
6. 小型化封装,便于 PCB 布局设计。
UPA1716G-E2 可用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 各种工业控制设备中的功率级开关。
6. 通信电源和消费类电子产品的高效功率转换模块。
IRFZ44N, AO3400A, FDP16N6C