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MYH2012N100MT 发布时间 时间:2025/5/21 13:27:11 查看 阅读:14

MYH2012N100MT 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适合用于各种高效率电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-247,能够有效散热并支持大电流操作。
  MYH2012N100MT 的额定电压高达 100V,可承受较高的漏源电压,同时具备出色的热稳定性和可靠性。这些特点使其在工业、消费电子及汽车领域中广泛应用。

参数

额定电压:100V
  连续漏极电流:95A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:135nC
  输入电容:3000pF
  最大功耗:228W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

MYH2012N100MT 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频应用,能降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的耐用性和鲁棒性。
  4. 良好的热性能设计,确保在高温环境下依然保持稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. 可靠性高,适用于严苛的工作条件。

应用

MYH2012N100MT 广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动和逆变器电路中的功率级元件。
  3. 工业自动化设备中的负载控制。
  4. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统和牵引逆变器。
  5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
  6. 高电流负载开关和其他需要高效功率管理的应用。

替代型号

IRFP260N
  STP100N10
  FDP150N10AE

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