时间：2025/5/21 13:27:11
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MYH2012N100MT 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于各种高效率电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 TO-247，能够有效散热并支持大电流操作。
MYH2012N100MT 的额定电压高达 100V，可承受较高的漏源电压，同时具备出色的热稳定性和可靠性。这些特点使其在工业、消费电子及汽车领域中广泛应用。
额定电压：100V
连续漏极电流：95A
导通电阻：1.6mΩ
栅极电荷：135nC
输入电容：3000pF
最大功耗：228W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
MYH2012N100MT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用，能降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的耐用性和鲁棒性。
4. 良好的热性能设计，确保在高温环境下依然保持稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性高，适用于严苛的工作条件。
MYH2012N100MT 广泛应用于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动和逆变器电路中的功率级元件。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 电动车和混合动力汽车中的电池管理系统和牵引逆变器。
5. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
6. 高电流负载开关和其他需要高效功率管理的应用。
IRFP260N
STP100N10
FDP150N10AE
