型号：UPA0J272MPD
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　器件类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：27V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.3A（at TC=75°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：17A
　　导通电阻 RDS(on)：34mΩ（at VGS=10V）
　　导通电阻 RDS(on)：45mΩ（at VGS=4.5V）
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：600pF（at VDS=10V）
　　输出电容（Coss）：190pF（at VDS=10V）
　　反向传输电容（Crss）：50pF（at VDS=10V）
　　功耗（PD）：2.5W（at TC=75°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：HVSOF5
　　安装类型：Surface Mount

UPA0J272MPD采用ROHM专有的T-MOS工艺制造，具备优异的电气性能和热稳定性，特别适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块以及工业电源管理单元等对可靠性要求较高的场合。
　　该MOSFET具有非常低的导通电阻，在VGS=10V条件下，RDS(on)仅为34mΩ，显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提升了系统的能效表现，并减少了散热设计的复杂度。即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），其RDS(on)也保持在45mΩ以内，表明其对现代低电压逻辑信号驱动具有良好兼容性，适用于由微控制器直接驱动的开关电路。
　　器件的阈值电压范围为1.0V至2.0V，确保了快速且可靠的开启响应，同时避免因噪声干扰导致误触发。输入电容（Ciss）为600pF，输出电容（Coss）为190pF，反向传输电容（Crss）为50pF，这些参数表明该MOSFET具有较快的开关速度和较低的驱动功率需求，适合高频开关操作。
　　UPA0J272MPD通过了AEC-Q101认证，具备出色的抗湿性、耐热循环能力和机械强度，能够承受汽车环境中常见的振动、温度冲击和湿度变化。其HVSOF5封装不仅体积小巧，还优化了散热路径，使热量能更有效地从芯片传递到PCB，提升长期工作的可靠性。
　　此外，该器件支持?55°C至+150°C的工作结温范围，可在极端环境温度下稳定运行，满足严苛工业与汽车应用场景的需求。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，适用于部分感性负载切换任务。综合来看，UPA0J272MPD是一款兼具高性能、高可靠性和小尺寸优势的N沟道MOSFET，是现代高效电源系统中的理想选择之一。

UPA0J272MPD广泛应用于需要高可靠性和紧凑设计的汽车电子系统中，例如车载摄像头电源管理、LED照明驱动、电动门窗控制模块、座椅调节电机驱动以及车载信息娱乐系统的电源开关等场景。
　　在工业领域，该器件可用于PLC（可编程逻辑控制器）中的I/O驱动电路、小型电机控制、DC-DC转换器的同步整流或高端/低端开关配置，以及各类便携式设备的电池管理系统中。
　　由于其具备良好的热性能和低导通电阻，UPA0J272MPD也非常适合用于负载开关应用，例如为处理器、传感器或其他外设提供上电时序控制和过流保护功能。
　　此外，该MOSFET还可用于USB供电接口、充电端口的电源开关，以及各类需要远程控制通断的智能配电系统。其AEC-Q101认证使其成为汽车级设计的首选器件之一，尤其适用于那些必须通过严格环境测试和寿命验证的产品项目。
　　在消费类电子产品中，尽管并非主打市场，但在追求高耐用性和长生命周期的设计中，UPA0J272MPD也能发挥其优势，特别是在高温或高湿度环境下运行的设备中表现出色。总之，该器件凭借其稳定的性能和广泛的适用性，已成为多个行业中关键电源开关应用的重要组成部分。

UPA0J271MPT