类型：双P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.5A（单个FET）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-3.0A
　　功率耗散（PD）：500mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（当VGS = -4.5V）；55mΩ（当VGS = -2.5V）；70mΩ（当VGS = -1.8V）
　　阈值电压（Vth）：-0.6V 至 -1.0V
　　输入电容（Ciss）：约220pF（在VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz条件下）
　　反向传输电容（Crss）：约35pF
　　封装形式：SOT-760（SC-88A/US8）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

UP9T15GL-TN3-R采用先进的沟槽型MOSFET结构，这种结构能够有效降低导通电阻，从而减少功率损耗并提高能效。其低RDS(on)特性使其非常适合用于需要高效能量转换的场合，例如移动设备中的电源路径管理。器件在低至1.8V的栅极驱动电压下仍能保持较低的导通电阻，这使得它可以兼容现代微控制器和低压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有出色的热稳定性和电流承载能力，在满载运行时也能维持稳定的性能输出。得益于优化的芯片布局和封装设计，热量可以快速从芯片传导至PCB，进而散发到环境中，避免局部过热导致的性能下降或器件损坏。此外，其较小的封装尺寸（SOT-760）极大节省了PCB空间，特别适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等对体积敏感的产品设计。
　　UP9T15GL-TN3-R还具备良好的抗噪声能力和静电放电（ESD）防护性能，能够在复杂的电磁环境中可靠工作。内部结构经过优化以减少寄生参数，从而降低开关过程中的振铃现象和电磁干扰（EMI）。同时，双通道独立控制的设计允许用户灵活配置两个PMOS管的工作状态，可用于双向电平移位、负载隔离或多路电源切换等应用场景。
　　该器件符合AEC-Q101车规级可靠性标准的部分测试要求（视具体批次而定），因此也可应用于车载信息娱乐系统或辅助电源模块中。制造过程中采用无卤素材料和绿色环保工艺，满足现代电子产品对环保法规的要求。整体而言，UP9T15GL-TN3-R是一款高性能、小尺寸、低功耗的双PMOS解决方案，适用于广泛领域的开关与控制任务。

UP9T15GL-TN3-R广泛应用于各类需要高效、小型化电源管理方案的电子设备中。在便携式消费类电子产品如智能手机、智能手表、蓝牙耳机和移动电源中，常被用作电池供电系统的主控开关或负载开关，通过控制MOSFET的导通与关断来实现电源路径的选择与节能管理。其低导通电阻和低压驱动特性确保了在轻载和待机模式下的低静态功耗，延长了设备续航时间。
　　在通信模块和无线传感节点中，该器件可用于RF前端电源的启停控制，帮助系统在非工作时段切断不必要的电源支路，以降低整体能耗。此外，在嵌入式系统和微控制器单元（MCU）周边电路中，UP9T15GL-TN3-R可作为电平转换器的一部分，实现不同电压域之间的信号传递与隔离，尤其是在1.8V、2.5V、3.3V混合供电系统中表现优异。
　　工业控制领域中，该器件可用于PLC输入输出模块、传感器供电控制以及小型继电器驱动电路中，提供快速响应的开关动作和可靠的电气隔离。由于其具备一定的耐压能力和电流承载力，也可用于DC-DC降压变换器的同步整流部分或高端驱动电路中，配合控制器实现高效的电压调节。
　　在汽车电子方面，尽管并非所有版本都通过完整AEC-Q101认证，但其稳定的温度特性和抗干扰能力使其适用于车身控制模块、车载导航系统和车内照明控制单元中的低压电源切换应用。总之，UP9T15GL-TN3-R凭借其紧凑尺寸、优异电气性能和宽泛的应用适应性，已成为众多设计师在电源管理与信号控制方案中的优选器件之一。

DMG2305UX-7
　　SI2305DDS-T1-E3
　　FDC630P
　　TPS22860DBVR
　　ZXM61P02FTA
　　BSS84LT3G