IC41C1665-35K 时间：2025/12/28 17:38:45 阅读：14

IC41C1665-35K是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）。该型号属于快速页面模式DRAM（FPM DRAM）系列，设计用于需要高速数据访问和大容量存储的应用。IC41C1665-35K具有16Mbit的存储容量，组织形式为1M x 16位，适用于早期的计算机系统、工业设备、网络设备和嵌入式系统。这款DRAM芯片采用标准的异步接口，能够在3.3V电源下运行，提供高性能和低功耗的特性。

参数

类型：DRAM
　　存储容量：16Mbit（1M x 16位）
　　电压：3.3V
　　访问时间：35ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：异步
　　封装尺寸：根据具体封装不同而变化
　　最大工作频率：约25MHz（根据访问时间和时钟周期计算）

特性

IC41C1665-35K具备多项高性能特性。首先，其35ns的访问时间确保了快速的数据读写操作，适用于对响应速度要求较高的应用。其次，该芯片支持快速页面模式（FPM），通过在同一页内连续访问不同列地址来提高访问效率，这对于需要连续数据流的应用非常有利。此外，IC41C1665-35K采用低功耗CMOS工艺制造，能够在保证高性能的同时有效降低功耗，适合对能耗敏感的系统使用。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能，确保在高负载环境下稳定运行。最后，该DRAM芯片具有宽温度范围支持，适合工业环境中的使用。

应用

IC41C1665-35K广泛应用于需要中等容量高速存储的场合。常见应用包括早期的个人计算机和服务器内存模块、工业控制系统、通信设备（如路由器和交换机）、嵌入式系统和消费类电子产品。由于其高性能和可靠性，该芯片也常用于测试设备、医疗仪器和自动化设备中，作为临时数据存储单元。此外，IC41C1665-35K还适用于需要频繁数据更新的场景，如图形处理和缓存存储。