类型：单向TVS二极管
　　封装/外壳：SMA（DO-214AC）
　　反向关断电压（VRWM）：150V
　　击穿电压（VBR）：167V @ 1mA
　　最大钳位电压（VC）：234V @ 1.9A
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.9A
　　峰值脉冲功率（PPEAK）：500W（8/20μs波形）
　　漏电流（IR）：≤5μA @ VRWM
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　储存温度范围：-55°C 至 +150°C

UP4B-150-R具备出色的瞬态电压抑制能力，能够在纳秒级时间内响应过压事件，确保敏感电路不受损害。其核心优势之一是采用先进的硅半导体工艺制造，实现了高度一致的击穿特性和稳定的钳位性能。在实际应用中，该器件可在高达150V的持续工作电压下保持极低的漏电流（不超过5μA），这使得它非常适合用于高压直流电源线路或工业信号接口的保护场景。当遭遇如IEC 61000-4-2规定的±8kV接触放电或±15kV空气放电等级的静电事件时，UP4B-150-R能够迅速动作并将瞬态电压限制在安全范围内，防止微控制器、ADC、通信接口等关键组件发生故障或永久性损伤。该TVS二极管具有良好的热稳定性和长期可靠性，在反复承受多次浪涌冲击后仍能维持原有电气特性，不会出现显著老化现象。其SMA封装形式不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，便于大规模制造。此外，器件外壳材料具备优异的耐热性和抗机械应力能力，能够在恶劣环境条件下稳定运行。另一个重要特点是其500W的峰值脉冲功率处理能力，基于标准8/20μs电流波形测试条件，这意味着它可以应对大多数常见的电力系统瞬变事件，包括开关噪声、继电器弹跳和轻度雷击感应等。综合来看，UP4B-150-R在响应速度、功率容量、封装尺寸和成本之间达到了良好平衡，是中高压领域理想的过压保护解决方案之一。
　　该器件还具备较低的动态电阻特性，有助于进一步降低钳位电压水平，从而为后级电路提供更严格的电压限幅保护。同时，由于其单向结构设计，特别适用于正极性供电线路或仅存在单方向过压风险的应用场合。与双向TVS相比，单向型号在正向偏置时的行为类似于普通整流二极管，但在反向电压达到阈值前始终保持高阻态。这种特性使其在某些特定拓扑中更具优势，例如DC输入端口、电池管理系统或电机驱动器的电源入口处。此外，UP4B-150-R的制造过程遵循严格的品质控制流程，每批次产品都经过100%的电气测试，以确保参数一致性与高良率。对于设计工程师而言，该器件提供了清晰的数据手册支持，包含详细的I-V曲线、热降额图表和布局建议，有助于优化PCB布线并实现最佳保护效果。

UP4B-150-R常用于各类需要中高压过压保护的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化设备中的传感器接口、PLC输入输出模块、直流电源输入端的浪涌防护；在通信基础设施中，可用于保护RS-485、CAN总线等差分信号线免受外部电磁干扰或接地电位差引起的电压突变；在消费类电子产品中，适用于适配器输入级、充电电路或LED驱动电源的瞬态抑制；此外，在医疗设备、测试仪器和户外电子装置中也广泛采用此类TVS二极管来增强系统的电磁兼容性（EMC）和长期运行稳定性。由于其具备较高的反向关断电压，特别适合应用于标称电压接近120V DC的系统中，例如电信设备、轨道交通控制系统或太阳能逆变器的辅助电源部分。该器件还可与其他保护元件（如保险丝、压敏电阻或气体放电管）协同使用，构建多级保护架构，以应对更为严酷的电气环境。在汽车电子领域，虽然UP4B-150-R并非专为车载环境设计，但仍可用于车身控制模块或车载充电器中的次级电路保护，前提是满足相应的温度和振动要求。总之，任何可能存在电压瞬变风险且工作电压在150V左右的电路，都是UP4B-150-R的理想应用对象。

SMBJ150A
　　TPSMAJ150A
　　P6KE150A