工作频率范围：5.15 GHz ~ 7.125 GHz
　　发射增益：≥32 dB
　　输出功率（802.11ax HE160）：≥19 dBm
　　输出功率（802.11ac VHT160）：≥19.5 dBm
　　接收增益：≥14 dB
　　噪声系数（NF）：≤2.2 dB
　　电源电压：VCC = 3.3 V，VCC_PA = 3.3 V
　　关断电流：≤10 μA
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）
　　尺寸：约2.0 mm x 2.0 mm x 0.75 mm

QM75TX-H2具备多项先进的射频技术特性，使其成为高性能Wi-Fi 6及Wi-Fi 6E系统的理想选择。首先，其高度集成的架构将功率放大器、低噪声放大器与单刀双掷开关（SPDT）整合于单一芯片中，显著减少了外部匹配元件的需求，提升了系统的可靠性和抗干扰能力。该模块采用先进的GaAs工艺制造，确保在高频段下仍能维持出色的线性输出和效率表现。在发射路径上，内置的PA经过优化设计，可在HE160和VHT160等宽信道模式下提供稳定且高效的输出功率，满足IEEE 802.11ax/ac标准对高吞吐量的要求。同时，其具备优异的ACLR（邻道泄漏比）性能，有效减少对相邻频段的干扰，提升共存能力和网络稳定性。
　　在接收链路方面，QM75TX-H2集成了高增益低噪声放大器，具有极低的噪声系数（典型值低于2.2 dB），显著增强了接收灵敏度，从而扩展了无线覆盖范围并改善了弱信号环境下的通信质量。模块内部还集成了T/R切换逻辑控制电路，支持简单的CMOS电平驱动，兼容多种基带控制器接口，简化了系统控制逻辑。此外，该器件支持多种节能模式，包括深度关断模式，可将静态电流降至10μA以下，适用于注重能效的移动或电池供电设备。
　　安全性与热管理方面，QM75TX-H2内置过温保护机制，防止因长时间高功率运行导致的器件损坏。其小型化的WLCSP封装不仅节省PCB空间，还通过优化的接地设计实现了良好的散热性能和电磁屏蔽效果。整个模块在生产过程中经过严格的测试和老化筛选，确保在工业级温度范围内长期稳定运行。这些综合特性使得QM75TX-H2在高端家庭网关、企业级AP、Mesh网络节点等应用场景中表现出色。

QM75TX-H2主要应用于需要高性能、高频率操作的无线通信设备中，尤其适用于支持Wi-Fi 6和Wi-Fi 6E协议的终端产品。其典型应用场景包括家用及企业级无线路由器、双频或多频段接入点（AP）、无线网桥、Mesh分布式网络系统以及支持MU-MIMO技术的智能网关设备。由于其支持高达7.125 GHz的工作频率，特别适合部署在6 GHz频段开放地区的Wi-Fi 6E产品中，能够充分发挥160 MHz甚至320 MHz超宽信道的优势，实现吉比特级别的无线传输速率。此外，该模块也广泛用于支持8x8 MIMO架构的高端客户端设备，如高性能笔记本电脑、台式机无线网卡以及VR/AR流媒体设备，为其提供稳定、低延迟的高速连接能力。在物联网（IoT）聚合节点、工业自动化无线通信模块以及医疗无线监护系统中，QM75TX-H2凭借其高集成度和可靠性能，也成为关键的射频前端解决方案之一。其紧凑的封装形式和简化的外围设计使其易于集成到空间受限的小型化设备中，进一步拓展了其在消费电子和嵌入式系统中的应用潜力。

RFX2424,QM75X-H2