类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：650V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：3A
　　正向压降（VF）：1.7V（典型值，@ IF=3A）
　　非重复峰值浪涌电流（IFSM）：50A（@ 8.3ms 半正弦波）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　反向漏电流（IR）：≤ 200μA（@ TJ=150°C, VR=650V）
　　封装形式：TO-252 (D-PAK)
　　安装方式：表面贴装/通孔兼容
　　热阻（RθJC）：约4.5°C/W

UP2003L-TN3-T的核心优势在于其采用第三代宽禁带半导体材料——碳化硅（SiC）制造而成，这使得该器件在高频、高温和高压条件下仍能保持出色的电气性能。碳化硅材料具有比传统硅更高的热导率和击穿电场强度，因此该二极管能够在高达175°C的结温下持续稳定工作，显著优于普通硅基二极管的150°C上限。这一特性极大地增强了器件在恶劣环境下的可靠性，减少了对复杂冷却系统的依赖，有助于简化系统设计并提高功率密度。
　　由于碳化硅肖特基二极管本质上没有少数载流子注入机制，因此不存在反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）和反向恢复时间（trr ≈ 0）的问题。这一物理特性从根本上消除了开关过程中因反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰（EMI），从而大幅降低了开关损耗，特别是在高频率运行时效果尤为明显。相比传统的硅快恢复二极管或超快恢复二极管，UP2003L-TN3-T可显著提升电源系统的整体转换效率，减少发热，延长系统寿命。
　　此外，该器件具备较低的正向导通压降（VF），在额定电流3A下典型值仅为1.7V，相较于其他同类产品具有更低的导通损耗。结合其优秀的热管理和封装设计（TO-252），能够实现良好的散热性能，确保长时间满载运行下的稳定性。同时，器件通过了严格的工业级可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）以及温度循环等试验，保证了在严苛工况下的长期耐用性。其表面贴装兼容封装也便于自动化生产，适用于现代高密度PCB布局需求。

UP2003L-TN3-T广泛应用于各类高效能电力电子设备中，尤其适用于需要高效率和高频率操作的电源拓扑结构。其典型应用场景包括：功率因数校正（PFC）电路，在升压型PFC中作为续流二极管使用，凭借零反向恢复特性显著降低开关损耗，提升系统效率至98%以上；在各类DC-DC转换器（如LLC谐振变换器、硬开关全桥拓扑）中作为输出整流元件，有效减少环路损耗并改善动态响应；在光伏（PV）逆变器系统中用于直流侧防反接和能量回馈路径，利用其高温耐受能力适应户外高温环境；在电动汽车车载充电机（OBC）和充电桩电源模块中提供高效、可靠的整流功能；此外，还适用于工业电机驱动、不间断电源（UPS）、服务器电源及5G通信电源等高端电源领域。得益于其紧凑的TO-252封装和优良的热性能，该器件特别适合空间受限但要求高功率密度的设计方案。

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　　 "UJ3D03750K3S",
　　 "C4D03120A",
　　 "SCT3045DHR",
　　 "LSLC3D03065B"
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