时间：2025/8/24 16:34:42
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UNR411FOOA是一款由UTC（Unisonic Technologies）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻、高效率和优良的热性能。UNR411FOOA封装为TO-252（DPAK），适合中高功率应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：110A（在VGS=10V时）
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大5.5mΩ（在VGS=10V时）
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：TO-252（DPAK）
UNR411FOOA采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和优异的热稳定性使其适用于高功率密度设计。该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容标准逻辑电平驱动，适用于多种控制电路。此外，TO-252封装提供了良好的散热性能，同时便于安装和使用。
该MOSFET具有出色的耐用性和可靠性，能够在严苛的工作环境下稳定运行。其设计支持快速开关操作，减少开关损耗，提高整体系统响应速度。UNR411FOOA还具备良好的抗过载和短路能力，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子应用。
UNR411FOOA适用于多种电源管理与功率控制应用，包括但不限于：高效DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机驱动器、电源开关、负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高电流能力也使其适合用于高性能电源供应器和电动车控制系统。
Si4410BDY-T1-GE3, IRF1104SPBF, FDD8882
