型号：UNMP-5075+
　　工作频率范围（RF/IF）：500 MHz 至 7500 MHz
　　本振频率范围（LO）：500 MHz 至 7500 MHz
　　转换损耗：典型值 6.5 dB
　　端口隔离度（LO-RF）：典型值 25 dB
　　端口隔离度（LO-IF）：典型值 30 dB
　　端口隔离度（RF-IF）：典型值 20 dB
　　输入三阶交调截点（IIP3）：典型值 +25 dBm
　　1 dB压缩点输入功率（P1dB）：典型值 +15 dBm
　　阻抗：50 Ω
　　连接器类型：表面贴装（SMD）
　　封装尺寸：6 mm × 6 mm × 1.8 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C

UNMP-5075+ 具备优异的宽带性能，能够在500 MHz至7500 MHz的极宽频率范围内稳定工作，使其适用于多种高频应用场景，如雷达系统、测试测量设备、无线通信基础设施以及卫星通信终端。其无源结构设计消除了对偏置电路的需求，降低了系统的复杂性和潜在故障点，同时提升了长期工作的可靠性。该混频器在高输入功率条件下仍能保持良好的线性性能，典型输入三阶交调截点（IIP3）高达+25 dBm，表明其在多载波或强干扰环境下具备出色的抗干扰能力，能够有效抑制非期望的互调产物，保障信号质量。
　　该器件的转换损耗控制在6.5 dB左右，在同类无源混频器中表现优异，有助于减少后续放大级的设计压力，提升整体链路预算的灵活性。三个主要端口之间的隔离度经过优化设计，特别是LO到RF和LO到IF的隔离分别达到25 dB和30 dB以上，显著降低本振泄漏对射频前端和中频处理电路的影响，从而提高接收机灵敏度和发射机频谱纯度。此外，UNMP-5075+ 具有较高的1 dB压缩点输入功率（约+15 dBm），意味着它可以承受较大的输入信号而不发生明显失真，适用于高动态范围系统设计。
　　Mini-Circuits在制造过程中采用了先进的薄膜工艺和精密组装技术，确保器件的一致性和重复性，适合批量生产和自动化贴片工艺。其小型化的6×6 mm SMD封装不仅节省PCB空间，还通过优化内部走线和接地结构来提升高频响应性能。该混频器符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子制造要求。由于其宽频带、高线性、低失真和易于集成的特点，UNMP-5075+ 成为工程师在开发高性能射频系统时的重要选择之一。

UNMP-5075+ 广泛应用于各类高性能射频和微波系统中，尤其适合需要宽带操作和高线性度的场景。在无线通信领域，它常用于基站收发信机中的上下变频模块，将基带或中频信号调制到射频波段进行发射，或将接收到的射频信号下变频为便于处理的中频信号。在测试与测量仪器中，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，该混频器作为关键前端组件，用于实现频率变换功能，保证仪器在宽频带内的测量精度和动态范围。
　　在雷达和电子战系统中，UNMP-5075+ 可用于接收通道的下变频处理，其高IIP3和低互调特性有助于在复杂电磁环境中准确提取目标信号。此外，该器件也适用于卫星通信地面站设备，特别是在Ku波段和部分Ka波段的应用中，能够满足高频、高速数据传输的需求。在软件定义无线电（SDR）平台中，由于其宽频带兼容性，可以支持多模式、多频段的灵活配置，减少硬件更换成本。
　　科研和教育机构在构建实验性射频系统时也常选用UNMP-5075+，因其性能稳定、资料齐全且易于使用。无论是作为教学演示还是原型验证，该混频器都能提供可靠的性能支持。此外，在毫米波前端开发中，虽然其上限频率为7.5 GHz，但可作为中频处理环节的关键元件，配合其他有源器件构建完整的频率转换链路。总之，UNMP-5075+ 凭借其卓越的电气性能和广泛的适用性，已成为现代高频电子系统中不可或缺的核心元器件之一。

ZX80-75GH-S+
　　HMC773ALC4TR
　　ADMV1013ACPZ-R7