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UNL6W80K-F 发布时间 时间:2025/7/15 18:44:27 查看 阅读:11

UNL6W80K-F是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率和高功率应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和超结结构,使其在高压条件下仍能保持较低的导通电阻和快速的开关性能。UNL6W80K-F广泛应用于电源转换系统、电机驱动器以及各种需要高效功率管理的场合。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流 (ID):6A
  最大漏源电压 (VDS):800V
  导通电阻 (RDS(on)):典型值为1.2Ω @ VGS=10V
  栅极电荷 (Qg):典型值为14nC
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

UNL6W80K-F具有多项优良特性,确保其在高功率应用中表现出色。首先,其800V的高耐压能力使其适用于各种高电压环境,如AC/DC转换器和离线电源设计。其次,该MOSFET采用了先进的沟槽栅极技术,结合了低导通电阻与快速开关速度的优点,从而显著降低了开关损耗并提高了整体效率。
  此外,UNL6W80K-F的超结(Super Junction)结构进一步优化了电场分布,使得器件能够在高电压下维持良好的导通性能,同时减少动态损耗。这不仅提升了系统的能量利用率,还减少了散热需求,有助于缩小电路板尺寸。
  在可靠性方面,UNL6W80K-F符合工业级质量标准,具备较高的热稳定性和长期运行的耐用性。其TO-220封装形式提供了良好的散热性能,并且便于安装在散热片上以增强散热效果。这种封装方式也使得该器件易于集成到多种电子系统中。
  该MOSFET还具备较强的抗过载能力,在短时间过流或瞬态电压冲击下仍能保持正常工作状态,从而增强了系统的稳定性与安全性。

应用

UNL6W80K-F因其优异的电气性能和可靠性,被广泛应用于多个领域。其中包括:
  - 开关电源(SMPS):用于构建高效的AC/DC和DC/DC转换器
  - 电机驱动器:适用于电动工具、风扇、泵类等设备的控制电路
  - LED照明驱动:提供稳定的电流调节和高效率的能量转换
  - 家用电器:如微波炉、洗衣机、空调等产品中的功率控制部分
  - 工业自动化设备:用于PLC、变频器和伺服驱动器中的功率开关单元

替代型号

TK11A80K,SPP11N80C3,TU11N80KE

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UNL6W80K-F参数

  • 标准包装5
  • 类别电容器
  • 家庭薄膜
  • 系列UNL
  • 电容80µF
  • 额定电压 - AC-
  • 额定电压 - DC600V
  • 电介质材料聚丙烯,金属化
  • 容差±10%
  • ESR(等效串联电阻)6.5 毫欧
  • 工作温度-55°C ~ 105°C
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳径向,Can
  • 尺寸/尺寸1.969" 直径(50.00mm)
  • 高度 - 座高(最大)2.500"(63.50mm)
  • 端子PC 引脚
  • 引线间隔-
  • 特点低 ESR
  • 应用-
  • 包装散装