UNAT-8+ 时间：2025/12/28 12:54:08 阅读：14

UNAT-8+ 是一款由UnitedSiC（现已被Qorvo收购）推出的碳化硅（SiC）肖特基二极管。该器件属于高性能宽禁带半导体产品线，专为高效率、高频率和高温工作环境下的电力电子应用而设计。UNAT-8+ 采用了先进的碳化硅材料技术，具有出色的反向恢复特性、低正向压降和卓越的热性能，适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统、不间断电源（UPS）以及服务器电源等高端应用场景。作为一款650V额定电压的SiC肖特基二极管，UNAT-8+ 在提升系统效率和功率密度方面表现优异，尤其在与硅基MOSFET或IGBT配合使用时，能够显著降低开关损耗并改善电磁干扰（EMI）表现。其封装形式通常采用TO-247-2L，便于安装和散热管理，并支持高电流密度操作。此外，该器件无反向恢复电荷（Qrr），从根本上消除了由传统硅二极管带来的反向恢复问题，从而提高了系统的可靠性和整体能效。由于碳化硅材料本身的物理优势，如高击穿电场强度、高热导率和良好的载流子迁移率，UNAT-8+ 能够在比同类硅器件更高的温度下稳定运行，减少了对复杂冷却系统的需求，有助于简化系统设计并降低成本。

参数

类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：650 V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：8 A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：120 A（半正弦波，60 Hz）
　　正向压降（VF）：1.45 V（典型值，@ IF = 8 A, TJ = 25°C）
　　漏电流（IR）：200 μA（最大值，@ VR = 650 V, TJ = 25°C）
　　结温范围（TJ）：-55 °C 至 +175 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C 至 +175 °C
　　热阻（RθJC）：3.1 °C/W（典型值）
　　封装：TO-247-2L

特性

UNAT-8+ 的核心优势在于其基于碳化硅材料的半导体结构所带来的卓越电气与热性能表现。首先，该器件具备极低的正向导通压降，在典型工作条件下仅约1.45V（@8A, 25°C），这直接降低了导通损耗，提升了整个电源系统的转换效率。更为关键的是，作为肖特基势垒二极管，它不存在少数载流子储存效应，因此在从导通状态切换到截止状态时不会产生反向恢复电流或反向恢复电荷（Qrr ≈ 0）。这一特性对于高频开关应用至关重要，因为它可以消除由传统PN结二极管引起的动态损耗和电压振铃现象，从而减少电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。
　　其次，UNAT-8+ 拥有出色的温度稳定性。随着结温升高，其正向压降的变化较小，且反向漏电流虽然随温度上升而增加，但仍处于可控范围内。其最高允许结温可达+175°C，远高于传统硅二极管的150°C上限，这意味着即使在高温环境下也能安全运行，无需过度依赖外部散热措施。这种高温耐受能力特别适合紧凑型高功率密度设计，例如车载充电机或工业电机驱动器中。
　　再者，该器件采用TO-247-2L封装，具备良好的机械强度和热传导性能，可通过底座直接连接散热器实现高效散热。同时，其低寄生电感的设计也有助于在高频开关过程中保持信号完整性。此外，UNAT-8+ 具备优异的抗浪涌能力，可承受高达120A的非重复浪涌电流（半正弦波，60Hz），增强了其在实际应用中的鲁棒性，尤其是在启动或故障情况下可能出现瞬态过流的场合。这些综合特性使得UNAT-8+ 成为现代高效能电力电子系统中理想的续流或整流元件。

应用

UNAT-8+ 广泛应用于需要高效率、高可靠性和高温运行能力的电力电子系统中。其典型应用场景包括但不限于：650V级的图腾柱无桥PFC（功率因数校正）电路，这类拓扑结构广泛用于服务器电源、电信整流器和工业电源模块中，利用UNAT-8+ 零反向恢复特性可极大降低开关损耗并提升整体能效至99%以上；在太阳能光伏逆变器中，该器件常被用作直流侧升压电路中的升压二极管，凭借其快速响应能力和低导通损耗，有助于提高逆变器的最大功率点跟踪（MPPT）效率；在电动汽车（EV）和插电式混合动力汽车（PHEV）的车载充电机（OBC）中，UNAT-8+ 可用于AC/DC和DC/DC级之间的整流环节，支持双向能量流动并适应宽输入电压范围；此外，在不间断电源（UPS）、数据中心电源系统以及高密度开关电源（SMPS）中，该器件也发挥着重要作用，帮助实现小型化、轻量化和高可靠性设计。由于其出色的热管理和长期稳定性，UNAT-8+ 还适用于恶劣工业环境下的电机驱动器和感应加热设备。