RF6261BTR13 时间：2025/8/22 9:34:41 阅读：6

RF6261BTR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）推出的射频功率放大器（PA）芯片，广泛用于无线通信系统中的射频信号放大。该器件采用 GaAs HBT（异质结双极晶体管）技术，提供高线性度、高增益和高效率的性能，适用于蜂窝通信、基站、无线基础设施以及工业和消费类射频设备。

参数

工作频率：800 MHz 至 2200 MHz
　　输出功率：典型值为 +27 dBm
　　增益：约 16 dB（典型值）
　　电源电压：+3.0 V 至 +5.5 V
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　封装类型：24 引脚 TQFN
　　输入/输出阻抗：50Ω（标称）
　　效率（PAE）：约 35%
　　线性度：支持多种调制格式，如 QAM、OFDM 等

特性

RF6261BTR13 采用先进的 GaAs HBT 工艺制造，具有优异的热稳定性和可靠性，适用于高功率和高频率的应用环境。该器件在宽频率范围内提供高增益和高线性度，能够在多种无线通信标准下稳定工作。芯片内部集成了输入和输出匹配网络，减少了外部元件数量，简化了设计和布局。此外，RF6261BTR13 还具备良好的电源抑制比（PSRR），使其在电源波动较大的环境中仍能保持稳定的性能。该芯片的封装设计紧凑，支持表面贴装工艺，适合高密度 PCB 布局。
　　在功率管理方面，RF6261BTR13 提供了使能控制引脚（EN），可以实现快速的开启和关闭，适用于需要突发模式操作的通信系统。其高效率（PAE）和低电流消耗特性，使其在电池供电设备中也能实现良好的能效表现。此外，芯片内置温度保护机制，防止因过热导致的损坏，提升了整体系统的稳定性和寿命。

应用

RF6261BTR13 主要应用于无线通信系统中的射频前端模块，如蜂窝基站、WiMAX 基站、无线接入点、物联网（IoT）设备、测试测量仪器、工业控制设备以及消费类射频产品。其高线性度和宽频带特性使其非常适合用于支持多种调制方式的多频段通信系统。该芯片还可用于中继器、远程无线单元（RRU）和小型基站等设备中，作为关键的射频信号放大元件，提升系统的传输距离和稳定性。此外，由于其良好的热管理和高可靠性，RF6261BTR13 也常用于需要高功率密度和高集成度的现代通信基础设施中。