DAN217WMTL 时间：2025/12/25 10:30:32 阅读：18

DAN217WMTL是一款由ROHM Semiconductor生产的双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于便携式设备和高密度PCB设计中。该器件采用微型封装（如WMT+封装），具有较小的占位面积，适合对空间要求极为严格的电子应用。DAN217WMTL集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个晶体管都经过优化，能够在低电压条件下实现高效的开关操作，适用于电池供电系统中的负载开关、电源管理以及信号切换等场景。该器件的设计注重低导通电阻（RDS(ON)）和快速开关响应，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其栅极阈值电压较低，能够与3.3V或更低的逻辑电平直接兼容，无需额外的电平转换电路，从而简化了系统设计并降低了整体功耗。此外，DAN217WMTL在制造过程中遵循AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备较高的环境耐受能力，可在工业温度范围内稳定工作，适用于消费类电子产品、移动通信设备及汽车电子模块等多种应用场景。

参数

型号：DAN217WMTL
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　晶体管类型：双N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDSS)：20V
　　连续漏极电流(ID)：400mA（单个FET）
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：1.6A
　　导通电阻(RDS(ON))：典型值0.5Ω（VGS=4.5V）
　　栅源阈值电压(VGS(th))：0.4V至1.0V
　　栅极电荷(Qg)：8nC（典型值）
　　输入电容(Ciss)：29pF（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：WMT+
　　安装类型：表面贴装(SMD)
　　功耗(Pd)：500mW（最大值）

特性

DAN217WMTL的核心优势在于其高度集成化与微型化设计，使得它在现代紧凑型电子设备中表现出色。该器件的两个N沟道MOSFET均具有非常低的导通电阻，在VGS=4.5V时RDS(ON)仅为0.5Ω，这显著减少了功率损耗，提高了能效，尤其适用于电池驱动的便携式设备，如智能手机、可穿戴设备和无线传感器节点。由于其低阈值电压特性（VGS(th)低至0.4V），DAN217WMTL可以轻松被微控制器或其他低压逻辑信号直接驱动，无需外加驱动器或电平移位器，进一步节省了外围元件数量和PCB空间。
　　DAN217WMTL采用WMT+封装技术，这是一种超小型塑料封装，尺寸通常为1.0mm x 1.0mm x 0.4mm左右，极大地提升了单位面积内的功能密度。这种封装不仅有助于减小整体产品体积，还通过优化内部引线布局降低了寄生电感和电阻，提升了高频开关性能。此外，该封装具备良好的散热性能，结合芯片本身的低功耗特性，确保了在持续运行下的热稳定性。
　　该器件还具备出色的开关速度，得益于较低的栅极电荷（Qg=8nC）和输入电容（Ciss=29pF），使其在PWM控制、LED调光、电机驱动等需要快速响应的应用中表现优异。同时，DAN217WMTL具有较强的抗静电能力（HBM模式下可达±2kV），增强了在实际生产与使用过程中的鲁棒性。所有这些特性共同构成了一个高效、可靠且易于集成的解决方案，特别适合用于多路电源切换、负载开关控制、电池保护电路以及各种模拟开关场合。

应用

DAN217WMTL因其小尺寸、低功耗和高性能的特点，被广泛应用于多个电子领域。在移动通信设备中，常用于RF前端模块的电源切换或天线调谐电路中的信号路径选择。在便携式消费类电子产品中，例如智能手表、TWS耳机和健康监测设备，该器件可用于管理不同子系统的供电，实现按需上电以延长电池寿命。此外，在工业自动化和物联网终端设备中，DAN217WMTL可用于构建低功耗传感节点的电源门控系统，动态控制传感器、无线收发器等模块的开启与关闭。
　　在汽车电子方面，尽管该器件并非专为高压主系统设计，但其符合AEC-Q101标准，因此适用于车身控制模块中的小型执行器驱动、车内照明调节或信息娱乐系统的电源管理单元。另外，由于其良好的温度适应性，也可部署于车载摄像头、盲点检测传感器等辅助驾驶系统的低电压控制回路中。
　　在计算机与外设领域，DAN217WMTL可用于USB端口的电源开关，防止过流或短路故障影响主机系统；也可作为SD卡、SIM卡插座的电源控制开关，提供安全的插拔保护机制。总体而言，任何需要微型化、低功耗双通道开关功能的应用场景，都是DAN217WMTL的理想选择。