时间：2025/8/28 11:36:05
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UN2488G-O-T3P-T 是一款由 UnitedSiC（United Silicon Carbide）制造的碳化硅（SiC）功率晶体管，属于场效应晶体管（FET）类别。该器件采用了碳化硅材料，具有出色的导热性、高击穿电压和低导通电阻等优点，适用于高功率密度和高效率的电力电子系统。UN2488G-O-T3P-T 采用表面贴装封装（SMD），便于在紧凑型设计中使用。这款晶体管特别适合用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及电机驱动器等应用领域。
类型：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）
漏源电压（Vds）：1200V
漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：24mΩ
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：T3P，表面贴装（SMD）
栅极电荷（Qg）：120nC
短路耐受能力：600V/80A，10μs
UN2488G-O-T3P-T 采用先进的碳化硅技术，使其在高温、高电压和高频率条件下依然能保持稳定的工作性能。其导通电阻仅为24毫欧，这大大降低了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件具有优异的热稳定性，可在高达150°C的结温下工作，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
该MOSFET具备较低的开关损耗，这在高频开关应用中尤为关键。与传统的硅基IGBT相比，UN2488G-O-T3P-T 能够显著减少能量损耗并提高系统的响应速度。同时，该器件具备较强的短路耐受能力，能够在600V电压和80A电流下承受长达10微秒的短路状态，增强了系统的可靠性和安全性。
UN2488G-O-T3P-T 由于其高电压、大电流能力和低导通电阻，广泛应用于各种高功率电子系统中。其中包括电动汽车（EV）车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、快速充电站、工业电机驱动器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及储能系统等。在这些应用中，该器件能够有效提升能量转换效率、减少散热需求，并支持更高的工作频率，从而缩小磁性元件的尺寸，提高系统整体的功率密度。
SiC MOSFET型号如Wolfspeed的C3M0016120D、Infineon的IMZ120R024MH1、ON Semiconductor的NVHL080N120SC1
