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UN2488G-O-T3P-T 发布时间 时间:2025/8/28 11:36:05 查看 阅读:11

UN2488G-O-T3P-T 是一款由 UnitedSiC(United Silicon Carbide)制造的碳化硅(SiC)功率晶体管,属于场效应晶体管(FET)类别。该器件采用了碳化硅材料,具有出色的导热性、高击穿电压和低导通电阻等优点,适用于高功率密度和高效率的电力电子系统。UN2488G-O-T3P-T 采用表面贴装封装(SMD),便于在紧凑型设计中使用。这款晶体管特别适合用于工业电源、电动汽车充电系统、太阳能逆变器以及电机驱动器等应用领域。

参数

类型:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)
  漏源电压(Vds):1200V
  漏极电流(Id):80A
  导通电阻(Rds(on)):24mΩ
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:T3P,表面贴装(SMD)
  栅极电荷(Qg):120nC
  短路耐受能力:600V/80A,10μs

特性

UN2488G-O-T3P-T 采用先进的碳化硅技术,使其在高温、高电压和高频率条件下依然能保持稳定的工作性能。其导通电阻仅为24毫欧,这大大降低了导通损耗,从而提高了整体系统的效率。此外,该器件具有优异的热稳定性,可在高达150°C的结温下工作,适用于严苛的工业和汽车应用环境。
  该MOSFET具备较低的开关损耗,这在高频开关应用中尤为关键。与传统的硅基IGBT相比,UN2488G-O-T3P-T 能够显著减少能量损耗并提高系统的响应速度。同时,该器件具备较强的短路耐受能力,能够在600V电压和80A电流下承受长达10微秒的短路状态,增强了系统的可靠性和安全性。

应用

UN2488G-O-T3P-T 由于其高电压、大电流能力和低导通电阻,广泛应用于各种高功率电子系统中。其中包括电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、DC-DC转换器、快速充电站、工业电机驱动器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及储能系统等。在这些应用中,该器件能够有效提升能量转换效率、减少散热需求,并支持更高的工作频率,从而缩小磁性元件的尺寸,提高系统整体的功率密度。

替代型号

SiC MOSFET型号如Wolfspeed的C3M0016120D、Infineon的IMZ120R024MH1、ON Semiconductor的NVHL080N120SC1