时间：2025/6/19 7:36:42
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LESD11D3.3BT5G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效能、高频率 LED 驱动芯片，专为现代照明系统和工业应用设计。它采用先进的封装工艺，能够实现低功耗运行以及高度稳定的输出性能。该芯片内置多种保护机制，如过流保护、短路保护等，确保其在各种复杂环境中的可靠性。
此芯片适用于需要精确电流控制的场景，并且支持宽范围输入电压操作，从而提高了系统的设计灵活性。
型号：LESD11D3.3BT5G
类型：LED驱动芯片
输入电压范围：2.8V 至 5.5V
最大输出电流：3.3A
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
封装形式：SOP-8
开关频率：最高可达 2MHz
静态电流：典型值为 10uA
效率：高达 95%
保护功能：过温保护、过压保护、过流保护
LESD11D3.3BT5G 具有以下显著特点：
1. 高效能设计：通过优化电路架构，该芯片能够在不同负载条件下保持高转换效率。
2. 快速响应时间：得益于先进的 GaN 材料，LESD11D3.3BT5G 可以快速调整输出电流，以满足动态变化的需求。
3. 紧凑型封装：SOP-8 封装使其非常适合空间受限的应用场合。
4. 强大的保护机制：包括过温、过压和过流等多种保护功能，极大地增强了芯片的鲁棒性。
5. 宽泛的工作电压范围：支持从 2.8V 到 5.5V 的输入电压，适应更多电源配置。
这款芯片广泛应用于各类 LED 照明设备中，例如智能灯具、背光显示模块、汽车照明系统等。此外，由于其出色的稳定性和高效性，LESD11D3.3BT5G 还被用于工业控制领域中的信号指示灯和状态监控装置。对于追求高性能和小型化的应用来说，这是一个理想选择。
LESD11D3.3AT5G, LESD11D3.3CT5G
