K3607 时间：2025/8/9 17:35:25 阅读：15

K3607是一款由韩国KeC Corporation（现为LSI半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。K3607采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：12A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K3607具有出色的导通性能和开关特性，适用于高效率电源系统。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了系统的整体能效。该器件具备良好的热稳定性和过温保护能力，确保在高负载条件下仍能稳定运行。K3607采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电场分布，提升了器件的击穿电压能力和可靠性。此外，其快速开关特性有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。TO-220封装形式提供了良好的散热性能，适合用于高功率密度的电源设计。K3607还具备较强的抗浪涌电流能力，能够承受短时间的高电流冲击，适用于电机驱动和负载开关等应用。

应用

K3607常用于各类电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、负载开关和电机控制电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻，K3607也适用于高功率LED驱动、工业自动化设备和消费类电子产品中的功率控制模块。在电动车、电动工具和工业电机驱动系统中，K3607可用于高效率的功率开关控制。