类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：8.2V @ 5mA
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　测试电流（Iz）：5mA
　　动态电阻（Zzt）：≤35Ω @ 5mA
　　温度系数：+2.5mV/°C（典型值）
　　反向漏电流（Ir）：≤1μA @ Vr=6.8V

UMZ8N齐纳二极管的核心特性在于其精确而稳定的电压调节能力。该器件在反向偏置状态下工作于齐纳击穿区域，能够在宽泛的电流变化范围内维持一个几乎恒定的电压输出，典型值为8.2V，容差控制在±5%以内，这使其非常适合作为基准电压源使用。其动态阻抗较低（通常不超过35Ω），意味着即使负载电流发生波动，输出电压的变化也非常小，从而提高了系统的稳定性与精度。该器件采用SOD-323小型表面贴装封装，极大节省了PCB空间，适用于高密度布局的现代电子设备，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类嵌入式控制系统。同时，这种封装形式也便于自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。
　　另一个显著特点是其良好的温度稳定性。虽然齐纳电压会随温度变化而略有漂移，但UMZ8N的设计已将温度系数优化至典型+2.5mV/°C，属于中等水平，适合大多数非极端环境下的应用需求。在高温环境下（最高可达+150°C），器件仍能保持可靠工作，展现了出色的热耐受能力。此外，它的最大功耗为200mW，在合理散热条件下可以承受一定范围内的持续电流通过，适用于低功耗稳压或瞬态电压抑制场景。反向漏电流极低（≤1μA @ 6.8V），有助于减少待机状态下的能量损耗，提升整体能效表现。
　　从电气安全角度考虑，UMZ8N具备较强的抗瞬态干扰能力，能在遭遇电压浪涌或静电放电（ESD）事件时快速响应并钳制电压，保护下游敏感元件。结合外部限流电阻使用时，可构成简单高效的过压保护电路。此外，该器件符合RoHS环保标准，不含铅等有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。综合来看，UMZ8N凭借其高精度、小尺寸、低功耗和良好稳定性，成为众多电子设计工程师在构建稳压、调压和参考电路时的优选方案之一。

UMZ8N齐纳二极管广泛应用于多种电子电路中，主要用于提供稳定的参考电压、实现电压钳位以及进行简单的稳压功能。在电源管理系统中，它常被用作反馈回路中的电压基准，帮助调节DC-DC转换器或线性稳压器的输出电压，确保系统供电的精确性与稳定性。例如，在低功率AC-DC适配器或电池供电设备中，UMZ8N可用于监测母线电压，并在超过设定阈值时触发保护机制，防止过压损坏后级IC。此外，它也可作为运算放大器或其他模拟电路的偏置电压源，提升信号处理的准确性。
　　在信号调理电路中，UMZ8N可用于限制输入信号幅度，避免因电压过高而导致前端接收器饱和或损坏。例如，在音频接口或传感器信号采集路径中，它可以与普通二极管串联构成双向钳位网络，将信号电平限制在安全范围内。与此同时，由于其响应速度快、寄生参数小，特别适合高频或快速瞬变信号的防护应用。
　　工业控制领域也是UMZ8N的重要应用场景之一。在PLC模块、数据采集单元或通信接口（如RS-232、CAN总线）中，该器件可用于构建简易的过压保护电路，抵御雷击感应或电源误接引起的电压冲击。此外，在消费类电子产品如智能手表、无线耳机、IoT终端设备中，因其小型化封装和低功耗特性，UMZ8N被广泛用于内部电压监测与稳压节点，保障设备在复杂工况下的正常运行。
　　值得一提的是，UMZ8N还可用于温度补偿电路设计。尽管其本身具有正温度系数，但在特定配置下可与其他负温度系数元件（如晶体管BE结）组合使用，实现整体温度响应的平衡。这种特性使其在精密测量仪器或环境监控系统中具有一定应用价值。总之，UMZ8N凭借其多功能性、高可靠性和成本效益，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

MMBZ5237B
　　PZM8.2
　　BZT52C8V2
　　SZLL4738BT