品牌：EPCOS (TDK)
　　型号：B39741B8566P810
　　电容值：56 pF
　　容差：±0.5 pF
　　额定电压：800 V DC
　　介电材质：C0G/NP0
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30 ppm/K
　　封装尺寸：1812（4.5 mm x 3.2 mm）
　　最小爬电距离：8 mm
　　端接类型：贵金属电极，可焊性优良
　　绝缘电阻：≥100 GΩ 或 R × C ≥ 10000 s（取较大值）
　　耐湿性：符合 IEC 60068-2-56 标准
　　耐焊接热：符合 IEC 60068-2-20 方法Db, Test 2
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 1 GHz
　　等效串联电阻（ESR）：< 10 mΩ
　　等效串联电感（ESL）：< 0.5 nH

该电容器采用 C0G（NP0）类陶瓷介质，具有极高的电容稳定性，其电容值几乎不随温度、电压或时间的变化而变化，非常适合用于对精度要求极高的谐振电路、滤波器和定时应用。
　　其高绝缘电阻和低漏电流特性确保了在高压直流应用中的安全性和效率，特别适用于需要长时间保持电荷的储能电路。
　　B39741B8566P810 具备优异的抗电晕和耐高压脉冲能力，能够在瞬态高压条件下保持性能稳定，不易发生击穿或老化，因此常用于开关电源中的 snubber 电路和高压缓冲网络。
　　得益于其宽达 8 mm 的最小爬电距离设计，该器件满足加强绝缘（Reinforced Insulation）的安全标准，适用于需要高电气隔离等级的医疗设备、工业控制系统和可再生能源逆变器。
　　其 1812 封装结构经过优化，增强了机械鲁棒性，能有效抵抗由于 PCB 弯曲、热膨胀失配或振动引起的机械应力，从而减少因微裂纹导致的早期失效风险。
　　该 MLCC 还具备卓越的高频响应能力，自谐振频率高于 1 GHz，使其在 GHz 频段内仍能保持良好的去耦性能，广泛用于射频放大器、混频器和高速数字系统的电源旁路设计。
　　此外，该产品采用贵金属内电极（如银钯合金），不仅提高了可焊性和长期可靠性，还增强了在高温高湿环境下的耐腐蚀能力，延长了使用寿命。

主要用于高频开关电源中的高压滤波与去耦，确保功率级稳定运行；
　　适用于射频匹配网络和发射机前端电路，提供精确且稳定的电容值以维持信号完整性；
　　在激光驱动器、X射线发生器等高电压脉冲系统中作为储能和整形元件；
　　用于工业自动化设备中的隔离式 DC-DC 转换器，满足安全绝缘距离要求；
　　应用于新能源汽车的车载充电机（OBC）和 DC-DC 变换器模块，支持高压平台的稳定工作；
　　在电信基础设施如基站和光传输设备中，用于高频去耦和噪声抑制；
　　适合用于医疗成像设备中的高压电源部分，保障患者安全与设备可靠性；
　　也可作为精密振荡器、时钟电路和传感器接口电路中的关键无源元件，发挥其温度稳定性优势。