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UMZ8.2T 发布时间 时间:2025/11/8 5:19:52 查看 阅读:9

UMZ8.2T是一种表面贴装齐纳二极管,主要用于电压参考和电路保护应用。该器件由ROHM Semiconductor生产,采用小型SOD-923封装,具有紧凑的尺寸和良好的热稳定性,适用于高密度印刷电路板设计。齐纳二极管在反向击穿区工作时能够提供稳定的参考电压,因此广泛应用于电源管理、信号调节以及过压保护等场景中。
  UMZ8.2T的标称齐纳电压为8.2V,在规定的测试电流下可保持较小的电压容差,确保输出电压的精确性。其低功耗特性使其非常适合便携式电子设备和电池供电系统。此外,该器件具备优良的动态阻抗性能,能够在负载变化时维持稳定的电压水平,提高系统的整体可靠性。由于采用无铅(Pb-free)制造工艺并符合RoHS环保标准,UMZ8.2T也满足现代电子产品对环境友好材料的要求。

参数

类型:齐纳二极管
  封装:SOD-923
  齐纳电压(Vz):8.2V
  齐纳电压容差:±5%
  最大耗散功率:200mW
  测试电流(Iz):5mA
  最大反向漏电流:100nA
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  热电阻(Rth(j-a)):625°C/W

特性

UMZ8.2T齐纳二极管具备优异的电压稳定性和温度特性,能够在宽温度范围内提供可靠的参考电压。其核心特性之一是低动态阻抗,这意味着即使在输入电流发生波动的情况下,输出电压仍能保持高度稳定,这对于精密模拟电路和反馈控制系统尤为重要。该器件在额定测试电流5mA下的齐纳电压典型值为8.2V,且具有±5%的电压容差,保证了批次间的一致性,便于大规模自动化生产中的质量控制。
  另一个显著特点是其小型化封装SOD-923,尺寸仅为约1.0mm x 0.6mm x 0.45mm,极大节省了PCB布局空间,特别适合智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他对体积敏感的应用。尽管封装微小,但其热设计经过优化,能在不超过200mW的最大功耗下安全运行,并通过高效的热传导路径将结温控制在合理范围内。
  该器件还表现出极低的反向漏电流(最大100nA),有助于减少待机状态下的功耗,提升能效。同时,它具备良好的长期稳定性,即使在长时间连续工作条件下,其电气参数漂移也非常小。此外,UMZ8.2T具有较强的抗瞬态干扰能力,可在一定程度上抑制电压尖峰,起到初级过压保护作用。结合其无铅、符合RoHS和AEC-Q101可靠性标准的特点,使其不仅适用于消费类电子,也可用于汽车电子等严苛环境下的应用。

应用

UMZ8.2T广泛应用于需要稳定参考电压或进行电压钳位的电路中。常见用途包括电源稳压电路,作为低压直流电源的基准源,用于比较器、运算放大器或ADC/DAC的参考电压输入。在信号调理电路中,它可以用于电平转换和限幅,防止后级电路因电压过高而损坏。此外,在嵌入式系统和微控制器单元(MCU)外围电路中,常被用作复位电路或电压监测模块的一部分,以确保系统在供电异常时可靠复位。
  由于其小型封装和低功耗特性,该器件特别适用于便携式设备如移动电话、蓝牙耳机、智能手表和物联网传感器节点等。在汽车电子领域,UMZ8.2T可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或ADAS传感器接口电路中,提供稳定的偏置电压或实现ESD保护功能。工业控制设备中的数据采集系统、PLC模块以及通信接口(如RS-232、I2C总线)也可能使用此类齐纳二极管来进行信号电平箝位和噪声抑制。总之,凡是需要精确、小型、可靠的电压参考解决方案的场合,UMZ8.2T都是一个理想选择。

替代型号

[
   "MZ7667B-7-F",
   "BZT52C82-7-F",
   "SZM8.2T",
   "MM3Z8.2VT1G"
  ]

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