制造商：Micron Technology
　　系列：MT47H
　　产品类型：DDR SDRAM
　　存储容量：128 Mbit
　　组织结构：8M x 16
　　供电电压：2.5V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　速度等级：-25E（对应时钟频率250 MHz，数据速率500 Mbps）
　　CAS 延迟：CL=3
　　封装类型：FBGA
　　引脚数：90
　　接口类型：并行
　　刷新模式：Auto Refresh, Self Refresh
　　每芯片字节数：16 MB
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　最小起订量：通常为1000片（依分销商政策而定）

MT47H64M16HR-25E 具备出色的电气性能与稳定性，采用了先进的CMOS技术制造，能够在高频下保持良好的信号完整性和低功耗表现。
　　该器件支持双倍数据速率架构，在每个时钟周期的上升沿和下降沿均能传输数据，从而实现高达500Mbps的数据传输速率，显著提升了系统的内存带宽效率。
　　其内部架构由四个独立的BANK组成，允许交错访问不同存储区域，有效提高连续读写操作的吞吐量，并减少等待时间。
　　为了适应不同的系统需求，该芯片提供了灵活的模式寄存器编程能力，用户可通过外部控制器设置CAS延迟、突发长度、突发类型等关键参数，优化整体性能。
　　此外，它还集成了可编程的预充电与激活时间控制，确保符合JEDEC标准的时间参数要求，增强了与其他组件的兼容性。
　　在可靠性方面，MT47H64M16HR-25E 经过严格的老化测试和质量验证流程，具备高抗干扰能力和长期运行稳定性，特别适用于工业和车载等严苛应用场景。
　　器件支持部分阵列自刷新（PASR）功能，允许仅对使用的存储区进行刷新，进一步降低待机状态下的功耗。
　　同时，其内置的温度传感器可配合外部控制器动态调整刷新率，在高温环境下保障数据完整性的同时避免不必要的能耗。
　　FBGA封装不仅节省PCB空间，还通过均匀分布的接地球改善了散热和电磁屏蔽效果，提升了高频工作的可靠性。
　　整体而言，该芯片在性能、功耗与可靠性之间实现了良好平衡，是中等容量DDR内存应用的理想选择。

MT47H64M16HR-25E 广泛应用于多种需要中等密度、高性能内存支持的电子系统中。
　　在通信领域，常用于路由器、交换机、基站控制器等网络设备中，作为数据包缓存或协议处理的临时存储单元，满足高速数据转发的需求。
　　在工业自动化控制系统中，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）终端及工控机中，提供稳定的运行内存支持，确保实时任务的准确执行。
　　消费类电子产品如智能电视、机顶盒、多媒体播放器也常采用此类DDR芯片来支撑图形渲染和多任务操作系统运行。
　　此外，在汽车电子系统中，例如车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）模块中，MT47H64M16HR-25E 凭借其宽温工作能力和高可靠性，能够胜任复杂电磁环境下的长期运行任务。
　　医疗设备中的一些便携式监护仪或成像处理装置也会选用该型号，以保证关键数据的快速存取和系统响应速度。
　　由于其符合RoHS环保标准且支持无铅焊接工艺，因此也适用于绿色电子产品设计。
　　该器件还可用于FPGA开发板、DSP处理器配套内存、视频监控DVR/NVR设备等多种嵌入式平台，作为主存或协处理器缓存使用。
　　得益于其良好的兼容性和成熟的供应链体系，MT47H64M16HR-25E 成为众多OEM厂商在产品设计阶段优先考虑的标准内存器件之一。

MT47H64M16HF-25:E
　　MT47H64M16HA-25:E
　　IS42S16160D-25BLI
　　IS42S16160D-25BL