UMZ8.2N 时间：2025/12/25 13:36:14 阅读：13

UMZ8.2N是一种表面贴装的小信号齐纳二极管，专为低功率稳压和电压参考应用设计。该器件采用SOD-323（SC-90）小型封装，适合高密度印刷电路板布局，广泛应用于便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制系统中。UMZ8.2N的标称齐纳电压为8.2V，能够在微小电流下实现稳定的电压箝位功能，具有良好的动态阻抗和温度稳定性。该器件由多家半导体制造商生产，如NXP、ON Semiconductor、Diodes Incorporated等，尽管不同厂商可能在细节参数上略有差异，但整体电气性能保持兼容性。作为小功率齐纳二极管系列的一员，UMZ8.2N适用于需要精确电压限制或基准电压源的场合，例如在电源监控电路、信号电平转换、过压保护以及模拟电路中的偏置设置等场景。其紧凑的封装形式使其非常适合自动化贴片生产流程，并可在有限空间内提供可靠的电压调节能力。此外，该器件具备优良的长期稳定性和抗老化特性，确保在各种工作环境下维持一致的性能表现。

参数

类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323 (SC-90)
　　齐纳电压(Vz)：8.2V @ 测试电流(Izt)
　　测试电流(Izt)：5mA
　　最大齐纳阻抗(Zzt)：35Ω
　　最大反向漏电流(IR)：100nA @ VR = 6.56V
　　功率耗散(Pd)：200mW
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
　　温度系数：+4.0 mV/°C（典型值）
　　极性：单向齐纳

特性

UMZ8.2N齐纳二极管的核心特性之一是其优异的电压稳定性和低动态阻抗，在额定测试电流5mA条件下，其齐纳电压稳定在8.2V附近，允许偏差通常为±5%或更优，从而确保在精密电路中提供可靠的参考电压。该器件的动态阻抗（Zzt）不超过35Ω，这意味着即使负载电流发生小幅波动，输出电压的变化也非常小，提升了系统的稳定性。由于采用了先进的扩散工艺和硅材料控制技术，UMZ8.2N在宽温度范围内表现出良好的热稳定性，温度系数约为+4.0 mV/°C，属于中等正温度系数范围，用户在设计时可通过外部补偿电路进一步优化温漂性能。该器件支持最高200mW的连续功率耗散，结合SOD-323封装良好的热传导设计，可在环境温度较高的条件下正常运行。此外，其反向漏电流极低，在未达到击穿电压前仅有约100nA的漏电流，有助于减少待机功耗并提高能效。SOD-323封装尺寸小巧（约1.7mm x 1.25mm x 1.0mm），便于集成于高密度PCB布局中，尤其适用于手机、平板电脑、可穿戴设备等对空间敏感的应用。制造工艺符合RoHS环保标准，支持无铅回流焊工艺，适应现代绿色电子制造需求。器件还具备较强的抗静电能力和可靠性，经过严格的寿命试验和高温反偏测试（HTRB），保证长期使用下的性能一致性。
　　UMZ8.2N具有快速响应特性，能够迅速抑制瞬态过电压，因此也可用于简单的浪涌保护或信号钳位电路中。其单向结构决定了它仅在一个方向上实现齐纳击穿行为，适用于直流偏置应用。在多级稳压系统中，它可以与其他稳压元件配合使用，构成低成本的电压调节方案。此外，该器件在低电流工作区仍能保持较好的电压精度，使其可用于电池供电系统中的低功耗监测电路。总体而言，UMZ8.2N凭借其紧凑封装、稳定性能和广泛可用性，成为现代电子设计中常用的电压参考与保护元件之一。

应用

UMZ8.2N常用于各类需要稳定参考电压或过压保护的小功率电子电路中。典型应用场景包括便携式设备的电源管理单元，其中用作ADC参考电压源或LDO反馈网络的一部分；在传感器信号调理电路中，作为偏置电压生成元件，确保前端放大器工作在线性区域；在通信接口电平转换电路中，用于钳制信号电压以防止超过接收端耐压极限，例如在I2C、UART等总线上提供ESD和过压保护；此外，它还可用于电源电压监测电路，当主电源电压异常升高时，通过齐纳击穿触发保护机制，如关闭后续负载或启动报警信号。在工业控制模块中，UMZ8.2N可用于构建简单的稳压电源，为微控制器或其他低功耗IC提供局部稳压供电。由于其响应速度快且体积小，也常见于高频开关电源的反馈环路中，辅助实现输出电压采样与稳压控制。在消费类电子产品如智能手机、蓝牙耳机、智能家居设备中，该器件被广泛用于内部电压检测节点，提升系统可靠性和安全性。同时，因其具备一定的温度稳定性，也可用于温度补偿电路中，配合其他元件校正温漂效应。在研发和原型设计阶段，UMZ8.2N因其通用性强、易获取而成为工程师常用的调试与验证元件。