时间：2025/12/28 1:53:01
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CMP321609VE82NMT是一款由Bourns公司生产的表面贴装压敏电阻（Varistor），属于多层变阻器（MLV）系列，主要用于保护敏感电子电路免受瞬态电压冲击的损害，例如静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及其他过电压事件。该器件采用紧凑的3216封装尺寸（即1206英制尺寸，3.2mm x 1.6mm），适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。其标称电压为8.2V，意味着在正常工作条件下，该压敏电阻呈现高阻态，不会对电路造成干扰；当电压超过其阈值时，其电阻迅速下降，将过电压能量泄放到地，从而保护后级元件。该型号中的‘CMP’代表Bourns的多层压敏电阻产品线，‘3216’表示封装尺寸，‘VE’表示电压范围和材料特性，‘82’对应8.2V标称电压，‘N’表示非磁性端接电极，‘MT’表示卷带包装。该器件广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及汽车电子等领域，作为第一道防线提供可靠的瞬态抑制能力。
产品类型：压敏电阻（Varistor）
封装/外壳：3216（1206公制）
尺寸：3.2mm x 1.6mm x 1.15mm
标称电压（Vn）：8.2V
最大连续工作电压（Vmax）：6V
钳位电压（Vc）：14V（在指定测试电流下）
浪涌电流能力：符合IEC 61000-4-2标准，可承受多次8kV接触放电事件
电容值（Typ.）：约180pF（在1kHz下测量）
端接类型：镍/锡镀层，非磁性（N）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-40°C 至 +125°C
包装方式：卷带（MT），每盘数量通常为4000pcs
CMP321609VE82NMT具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达±8kV的接触式静电放电（ESD）事件，有效防止敏感半导体器件因静电而损坏。其内部采用多层陶瓷结构设计，通过交替堆叠的锌氧化物半导体材料与内电极形成多个串联的PN结，使得器件在低电压下保持高阻抗，而在过压条件下迅速导通，实现能量泄放。这种结构不仅提高了单位体积的能量吸收能力，还显著降低了寄生电感，增强了高频瞬态抑制效果。该器件具有良好的热稳定性和长期可靠性，在高温高湿环境下仍能维持稳定的电气性能。其非磁性端接设计避免了在高频应用中可能引起的电磁干扰问题，特别适用于射频（RF）前端模块、高速数据接口等对电磁兼容性要求较高的场合。此外，该压敏电阻的电容值适中（约180pF），不会对信号完整性造成明显影响，适用于USB、HDMI、SD卡接口、音频线路等多种低电压信号线路保护。器件符合RoHS和REACH环保标准，并通过AEC-Q200应力测试认证，适用于汽车电子环境下的可靠运行。其小尺寸封装便于自动化贴片生产，提升了制造效率和产品一致性。
该压敏电阻在多次重复性ESD冲击后仍能保持性能稳定，展现出卓越的耐久性和自恢复特性，无需更换或维护。其电压-电流特性曲线具有明显的非线性特征，确保在正常工作电压范围内不产生漏电流，同时在过压发生时快速进入导通状态。相比TVS二极管，压敏电阻具有双向保护能力和更高的能量吸收密度，尤其适合应对复杂多变的瞬态干扰环境。Bourns在其制造过程中采用严格的工艺控制和筛选流程，确保每批次产品的参数一致性与高良率，满足工业级和汽车级应用的严苛要求。
该器件广泛应用于各类需要ESD和瞬态电压保护的电子系统中。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的数据端口保护，如USB 2.0/3.0、HDMI、耳机插孔、触摸屏信号线等。在通信领域，可用于以太网接口、RS-232/RS-485通信线路、天线馈线等部位，防止雷击感应或电源耦合引入的瞬态干扰。在工业控制设备中，用于PLC输入输出模块、传感器接口、人机界面（HMI）等关键节点的防护。在汽车电子方面，适用于车载信息娱乐系统、导航设备、摄像头模块、CAN/LIN总线接口等非动力系统中的低压电路保护。此外，还可用于电源管理单元、电池充电电路、DC-DC转换器输入端的辅助保护，提升系统整体的电磁兼容性（EMC）表现。由于其小型化和高性能特点，特别适合部署在高密度PCB布局中，为现代电子设备提供高效、可靠且成本优化的过压保护解决方案。
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"CMP321609VAR82NT",
"B72210M3301K101",
"SRV05-4",
"SMCJ10CA",
"TPD1E10B06"
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