电容值：10μF
　　额定电压：12V
　　容差：±20%
　　温度特性：X5R（部分资料标注为X7R）
　　工作温度范围：-55°C 至 +85°C（X5R）或 -55°C 至 +125°C（X7R）
　　封装尺寸：0402（1.0mm × 0.5mm）
　　电极结构：Ni/Sn（镍/锡阻挡层）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：陶瓷（Class II）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降明显（典型Class II行为）
　　ESR：低等效串联电阻（具体值依频率而定）
　　ESL：低等效串联电感
　　老化率：≤2.5% / decade hour（X5R/X7R类）

UMZ12NT106作为松下UMZ系列的一员，具备多项优异的技术特性，使其在众多同类产品中脱颖而出。首先，该电容器采用了先进的多层叠层结构和高纯度陶瓷介质材料，确保了在小尺寸下实现较高的电容密度。其0402（1.0×0.5mm）超小型封装非常适合空间受限的高密度PCB布局，尤其适用于移动终端设备内部的电源管理单元去耦设计。其次，该器件使用了镍/锡阻挡层电极技术，这种结构不仅提高了端电极的机械强度和耐热循环性能，还能有效防止银离子迁移问题，从而增强长期使用的可靠性。同时，该设计也保证了良好的焊接性能，支持无铅回流焊工艺，符合现代环保制造趋势。
　　在电气性能方面，UMZ12NT106基于X5R或X7R类铁电陶瓷介质，能够在较宽的温度范围内保持相对稳定的电容值。例如，在-55°C到+85°C的工作温度区间内，电容变化不超过±15%（X5R）或±20%（X7R），这对于大多数民用和工业级应用已足够。然而需要注意的是，这类II类陶瓷电容器存在明显的直流偏压效应——即当施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容值会显著降低，有时甚至降至标称值的50%以下。因此在设计时必须参考厂商提供的DC偏压曲线进行降额使用。此外，其低ESR和低ESL特性使其在高频去耦场景中表现优异，能够快速响应瞬态电流变化，抑制电源噪声。
　　该产品还通过了AEC-Q200等可靠性认证（视具体批次而定），具备良好的抗湿性、抗弯曲和抗热冲击能力，适合自动化贴片生产线的大规模组装。整体而言，UMZ12NT106是一款兼顾小型化、高性能与可靠性的MLCC元件，特别适用于对空间敏感且要求稳定供电的便携式电子产品。

UMZ12NT106主要应用于需要小型化、高频响应和稳定电源供应的电子系统中。其最常见的用途是在各类集成电路（IC）的电源引脚处作为去耦电容器，用于滤除高频噪声并提供瞬时电流支持，从而维持电源电压的稳定性。这一功能在数字信号处理器（DSP）、微控制器单元（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）以及应用处理器等高速逻辑芯片的供电网络中尤为关键。此外，该电容器也广泛用于开关模式电源（SMPS）输出端的滤波电路中，帮助平滑输出电压纹波，提升电源效率与稳定性。
　　在移动通信设备领域，如智能手机、平板电脑和无线模块中，UMZ12NT106因其超小型0402封装和可靠的电气性能，常被部署于射频前端模块、基带处理单元及电池管理系统的电源路径上，起到旁路和储能作用。在消费类电子产品如智能手表、耳机、摄像头模组等可穿戴设备中，该电容器有助于在有限空间内实现高效的电源完整性设计。
　　除此之外，UMZ12NT106也可用于工业控制板、传感器接口电路、LED驱动电源以及汽车电子中的非动力域系统（如信息娱乐系统、车身控制模块），尤其是在那些需要耐受一定温度变化但又不需极端高温性能的应用场合。由于其符合RoHS和无卤素要求，也满足现代电子产品对环保法规的合规性需求。总体来看，该器件适用于所有对尺寸、成本和性能有综合考量的中低端功率去耦与滤波应用场景。

GRM155R71C106KE11D
　　CL10A106KO8NNNC
　　C1005X5R12V106K