UMZ1 N TR 时间：2025/11/8 6:04:09 阅读：8

UMZ1 N TR是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的表面贴装N沟道MOSFET晶体管，采用SOT-23（SC-70）小型封装，适用于高密度、低功耗的电子电路设计。该器件主要用于开关和放大应用，在便携式设备、电源管理模块以及信号处理系统中具有广泛应用。其主要优势在于低导通电阻、快速开关速度以及优异的热稳定性，能够在有限空间内实现高效能表现。由于采用了先进的沟槽栅场效应技术，UMZ1 N TR在保证高性能的同时也具备良好的抗噪声能力和可靠性。这款MOSFET特别适合电池供电设备，如智能手机、可穿戴设备、物联网终端等对尺寸和功耗敏感的应用场景。此外，SOT-23封装便于自动化贴片生产，提高了制造效率并降低了整体成本。UMZ1 N TR符合RoHS环保标准，并通过了多项工业级可靠性测试，确保在各种工作环境下稳定运行。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOT-23 (SC-70)
　　漏源电压（VDS）：60 V
　　栅源电压（VGS）：±20 V
　　连续漏极电流（ID）：150 mA（在25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：600 mA
　　导通电阻（RDS(on)）：4.5 Ω（最大值，VGS = 10 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0 V ~ 2.5 V（典型值约1.8 V）
　　栅极电荷（Qg）：3.5 nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：35 pF（典型值，VDS = 25 V）
　　功率耗散（Ptot）：350 mW
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　热阻（Rth(j-a)）：350 K/W（典型值）
　　极性：增强型MOSFET

特性

UMZ1 N TR具备多项关键技术特性，使其成为现代低功耗电子系统中的理想选择。
　　首先，其采用先进的沟槽栅结构设计，有效降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少导通状态下的功率损耗，提高能效。这对于电池供电设备尤为重要，有助于延长续航时间。同时，较低的RDS(on)也意味着在相同电流下产生的热量更少，提升了系统的热稳定性与长期可靠性。
　　其次，该器件具有快速的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg ≈ 3.5 nC）和输入电容（Ciss ≈ 35 pF），使其在高频开关应用中表现出色。这使得UMZ1 N TR可用于DC-DC转换器、负载开关或LED驱动等需要快速切换的场合，显著提升系统动态响应性能。
　　第三，UMZ1 N TR拥有较宽的漏源电压耐受能力（最高60 V），可在多种电压等级下安全运行，增强了设计灵活性。其栅源电压范围为±20 V，具备一定的过压容忍度，配合合理的外围保护电路可进一步提升鲁棒性。
　　此外，SOT-23封装不仅体积小巧（仅约2.2 mm × 1.3 mm），还具备良好的散热性能和机械强度，适用于高密度PCB布局和回流焊工艺。该封装形式广泛应用于消费类电子产品，兼容主流贴片生产线，有利于批量制造。
　　最后，器件的工作结温范围达-55°C至+150°C，表明其可在极端环境条件下可靠运行，满足工业级应用需求。结合350 mW的额定功率耗散和350 K/W的热阻参数，设计人员可通过合理布局和散热设计充分发挥其性能潜力。整体而言，UMZ1 N TR是一款集小型化、高效能与高可靠性于一体的N沟道MOSFET，适用于多样化的低压开关与控制应用。

应用

UMZ1 N TR广泛应用于各类低功耗电子系统中，典型用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关、LED背光驱动、电池管理系统中的充放电控制、信号路由切换以及小型电机驱动等。其小尺寸和高效特性也使其成为可穿戴设备、智能家居传感器节点、无线通信模块及物联网终端的理想选择。此外，该器件还可用于音频信号放大、继电器替代以及各类逻辑电平转换电路中，提供快速响应和低静态功耗的解决方案。在工业自动化领域，UMZ1 N TR可用于传感器接口调理电路或执行器驱动单元，实现精确控制与节能运行。