时间：2025/5/31 2:19:13
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FGHL50T65SQDT是一种高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点。该器件适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及各类工业控制应用等场景，能够显著提升系统效率并降低能耗。
FGHL50T65SQDT的设计旨在满足现代电子设备对高效能与小型化的需求，同时确保其具备优良的热性能和耐用性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A
导通电阻：0.04Ω
栅极电荷：120nC
总功耗：300W
工作温度范围：-55℃ to +175℃
FGHL50T65SQDT采用了超结（Super-Junction）技术，这使得它在保持高耐压的同时实现了极低的导通电阻，从而大幅减少了传导损耗。此外，其优化的栅极设计确保了快速的开关速度，降低了开关损耗。
器件封装形式为D2PAK，这种封装方式提供了良好的散热路径，使其非常适合需要高功率密度的应用环境。另外，该器件还具有优异的雪崩能力和抗电磁干扰性能，能够在恶劣的工作条件下稳定运行。
由于其出色的电气特性和可靠性，FGHL50T65SQDT成为许多高性能电力电子系统中的首选解决方案。
FGHL50T65SQDT广泛应用于多种领域，包括但不限于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电动汽车充电装置、工业电机驱动以及各种类型的开关模式电源（SMPS）。
在这些应用场景中，FGHL50T65SQDT凭借其高效的能量转换能力、紧凑的尺寸和卓越的热管理特性，帮助工程师实现更小、更轻且更节能的设计方案。
IRFP460, FGH50N65SMD, STP50NF65
