UMZ-906-R16-G 时间：2025/8/15 20:22:31 阅读：16

UMZ-906-R16-G是一款高性能的射频(RF)开关集成电路，广泛应用于无线通信、测试设备和雷达系统等高频电子设备中。该器件由UMS（United Monolithic Semiconductors）公司制造，采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，具有低插入损耗、高隔离度和快速切换速度的特性，适用于需要高频和高可靠性的应用场景。

参数

工作频率范围：DC至6 GHz
　　插入损耗：典型值0.3 dB（最大0.5 dB）
　　隔离度：≥30 dB（典型值在2 GHz下为35 dB）
　　切换时间：上升/下降时间小于10 ns
　　输入功率容限：+30 dBm（连续波）
　　工作电压：+5V 单电源供电
　　控制电压：兼容TTL/CMOS逻辑
　　封装类型：16引脚表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C至+125°C

特性

UMZ-906-R16-G是一款基于GaAs（砷化镓）工艺的单片微波集成电路（MMIC）射频开关。其HEMT结构使得该器件在高频工作下仍能保持优异的性能，具有极低的插入损耗和出色的隔离度，确保信号传输的高保真性。此外，UMZ-906-R16-G的切换速度非常快，适用于需要快速切换的应用，如频谱分析仪和测试仪表。该器件的控制逻辑接口兼容TTL/CMOS标准，简化了与外部控制电路的连接。其+30 dBm的输入功率容限使其能够承受较高的射频功率，增强了在高功率环境下的可靠性。UMZ-906-R16-G采用16引脚表面贴装封装，便于自动化生产和高密度PCB布局，适用于工业级和军用级的工作温度范围，确保在各种环境下的稳定运行。