时间：2025/12/28 16:02:38
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UMX5 NTR 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于多种高功率应用，如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和优良的热性能。UMX5 NTR 的封装形式为 TSOP（薄型小外形封装），尺寸紧凑，适合空间受限的设计。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：12A
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS=10V
功率耗散（Ptot）：3.6W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TSOP
UMX5 NTR 功率 MOSFET 具有出色的电气性能和可靠性，其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗并提高能效。它支持高达 12A 的连续漏极电流，适合中高功率应用。此外，该器件具有较高的栅极电压耐受能力（±20V），增强了在高电压开关环境中的稳定性。
该 MOSFET 采用 Nexperia 的高性能沟槽技术，提供更优的热管理和更高的电流密度。TSOP 封装不仅节省空间，还具备良好的热传导性能，确保器件在高负载下稳定运行。此外，UMX5 NTR 的工作温度范围广泛（-55°C 至 150°C），适用于各种工业和消费类电子应用。
UMX5 NTR MOSFET 可广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机控制电路以及工业自动化设备。其高效能和紧凑型设计也使其成为便携式电子产品、笔记本电脑和服务器电源模块的理想选择。
Si2302DS, FDS6675, IRF7413, BSC016N04LS5
