UMX4N 时间：2025/12/25 13:37:00 阅读：18

UMX4N是一种通用的表面贴装小信号肖特基二极管，广泛应用于高频开关、整流、电压钳位和保护电路中。该器件采用SOD-323（SC-76）小型封装，具有低正向压降和快速恢复特性，适合在便携式电子设备和高密度PCB布局中使用。UMX4N由多家半导体制造商生产，如ON Semiconductor、Diodes Incorporated等，确保了良好的市场供应和兼容性。其主要设计目标是在低压、小电流环境下提供高效的电能转换与信号处理能力。由于其紧凑的外形尺寸和优良的电气性能，UMX4N常被用于消费类电子产品、通信设备、电源管理模块以及各类嵌入式系统中的电路保护设计。该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）和绿色封装特性，适用于现代绿色电子制造工艺。此外，UMX4N能够在较宽的温度范围内稳定工作，增强了其在不同环境条件下的可靠性与适应性。

参数

类型：肖特基二极管
　　极性：单芯
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　平均整流电流（IO）：300mA
　　峰值脉冲电流（IFSM）：500mA
　　最大正向压降（VF）：@ 300mA, 450mV
　　最大反向漏电流（IR）：@ 40V, 1μA
　　反向恢复时间（trr）：< 4ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装/包装：SOD-323（SC-76）
　　安装类型：表面贴装（SMT）
　　湿气敏感等级（MSL）：1（无限制）
　　引脚数：2

特性

UMX4N的核心优势在于其出色的高频响应能力和低功耗表现。作为一款肖特基势垒二极管，它利用金属-半导体结实现单向导电性，相较于传统的PN结二极管，具有更低的正向导通压降（典型值仅为450mV @ 300mA），从而显著减少功率损耗并提升整体效率。这一特性使其特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的应用场景。
　　其超快的反向恢复时间（trr < 4ns）意味着在高频开关操作中能够迅速截止反向电流，有效抑制电压振铃和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性与抗噪能力。这种快速响应也使得UMX4N可用于高速数字信号线路中的瞬态电压抑制和逻辑电平隔离。
　　UMX4N采用SOD-323微型表面贴装封装，尺寸仅为约1.7mm x 1.25mm x 0.95mm，极大节省了PCB空间，非常适合高集成度的移动终端产品，如智能手机、可穿戴设备和平板电脑。同时，该封装具备良好的热传导性能，在正常工作条件下无需额外散热措施即可满足热管理需求。
　　器件可在-55°C至+150°C的宽结温范围内可靠运行，表现出优异的环境适应性和长期工作稳定性。所有材料均符合RoHS指令及无卤素规范，支持环保生产工艺。此外，UMX4N通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和湿度寿命试验，确保在恶劣工况下的耐用性。

应用

UMX4N因其高效、小型化和高可靠性的特点，被广泛应用于多个电子领域。在消费电子中，常用于USB接口的电源保护、电池充放电回路的防反接以及LCD背光驱动电路中的整流元件；在通信设备中，可用于高频信号检波、混频器输出端的直流恢复以及射频前端的静电放电（ESD）防护；在电源管理系统中，适用于DC-DC转换器的续流二极管或同步整流辅助路径，以降低能耗并提升转换效率；在工业控制和汽车电子模块中，UMX4N可用于传感器信号调理电路的钳位保护、微控制器I/O口的过压抑制以及低电压逻辑电平转换电路中的隔离元件。此外，由于其快速响应特性，也可作为高速数字电路中的噪声滤波和瞬态抑制器件，防止因电压突变引起的误触发或芯片损坏。总之，凡涉及低压、小电流且需要快速开关响应的场合，UMX4N都是一个理想的选择。