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CXK581001P70L 发布时间 时间:2025/8/18 0:35:19 查看 阅读:25

CXK581001P70L 是一款静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为128K x 8位,属于高速低功耗CMOS SRAM。该芯片采用标准的512Kb(64K x 8)架构,工作电压为3.3V,适用于需要高速数据存取的应用场景,如工业控制、网络设备、通信系统等。该器件采用TSOP封装形式,适用于表面贴装工艺,具有较高的可靠性和稳定性。

参数

容量:128K x 8位
  电压:3.3V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  接口类型:并行
  封装尺寸:标准TSOP
  最大工作频率:约143MHz
  待机电流:低功耗模式下典型值为10mA

特性

CXK581001P70L 具备高速存取能力,访问时间仅为70ns,适用于对响应时间要求较高的系统。该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时有效降低功耗,支持待机模式以进一步节省能源。
  其TSOP封装设计有助于提高PCB布局的密度,并增强散热性能,适用于紧凑型电子设备。该SRAM芯片还具有较强的抗干扰能力和稳定性,能够在工业级温度范围内可靠工作。
  此外,CXK581001P70L 兼容多种处理器接口,便于集成到不同类型的系统中,如嵌入式控制器、网络路由器、工业自动化设备等。其非易失性保持电路设计可确保在断电时数据不会丢失(需外部电池支持),适用于需要临时数据存储的应用场景。

应用

该芯片广泛应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场合,例如工业控制系统的本地存储、通信设备中的缓存单元、网络路由器的数据包缓冲、测试测量仪器的数据暂存等。此外,CXK581001P70L 也适用于嵌入式系统中作为主存储器或辅助存储器,支持处理器快速访问关键数据和指令,提高系统整体运行效率。由于其低功耗和高稳定性,该芯片也常用于便携式设备、医疗电子设备和车载电子系统中。

替代型号

CY7C1009B-10ZSXC、IS61LV1024-70BLL、AS7C31026-70BCTR、IDT71V128SA70PFGI、M5M510016AIP-70

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