UMX3 时间：2025/12/25 11:50:47 阅读：19

UMX3 是一款由 Nexperia（原 NXP 标准产品部门）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，采用先进的 TrenchMOS 工艺技术制造，专为高效率、低功耗应用而设计。该器件封装在小型 SOT23 封装中，具有极小的占板面积，非常适合空间受限的便携式电子设备和高密度 PCB 设计。UMX3 的主要优势在于其低阈值电压（VGS(th)）和低导通电阻（RDS(on)），使其能够在低电压逻辑信号下可靠地开关，并有效降低传导损耗。由于其优异的开关性能和热稳定性，UMX3 被广泛应用于电源管理、负载开关、LED 驱动、电池供电系统以及信号路由等场景。该器件符合 RoHS 和无铅要求，支持绿色电子制造标准。UMX3 在 1.8V 至 4.5V 的栅极驱动电压范围内表现出色，能够与现代低电压微控制器和数字逻辑电路直接接口，无需额外电平转换电路。此外，其快速开关能力减少了开关损耗，提高了系统整体能效。Nexperia 对 UMX3 进行了严格的可靠性测试，确保其在工业温度范围（-55°C 至 +150°C）内稳定运行，适用于对环境适应性要求较高的应用场景。

参数

类型：N沟道
　　连续漏极电流（ID）：600mA @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：2.4A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：25V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：典型值 1.1V，最大值 1.5V @ VDS = VGS, ID = 250μA
　　导通电阻（RDS(on)）：450mΩ @ VGS = 2.5V；370mΩ @ VGS = 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 1.5nC @ VGS = 4.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值 135pF @ VDS = 10V
　　反向传输电容（Crss）：典型值 25pF @ VDS = 10V
　　体二极管反向恢复时间（trr）：典型值 18ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT23

特性

UMX3 的核心特性之一是其优化的低电压驱动能力，特别适合 1.8V、2.5V 或 3.3V 逻辑电平直接控制。其栅源阈值电压典型值仅为 1.1V，在微控制器 GPIO 输出为 1.8V 时即可完全导通，避免了传统高压 MOSFET 需要额外驱动电路的问题。这不仅简化了设计复杂度，还降低了系统成本和功耗。得益于先进的 TrenchMOS 技术，UMX3 实现了较低的导通电阻，在 VGS=2.5V 下 RDS(on) 典型值为 450mΩ，显著减少了在负载电流下的 I2R 功耗，提升了能源利用效率。
　　该器件具备良好的热稳定性，其正温度系数的 RDS(on) 特性有助于在多管并联或高温环境下实现电流均衡，防止热失控现象的发生。此外，UMX3 的开关速度较快，输入电容和栅极电荷均处于同类产品中的领先水平，使得它在高频开关应用中表现出更低的动态损耗。其体二极管也经过优化，反向恢复时间短（典型值 18ns），可减少在感性负载关断过程中的能量损耗和电压尖峰，提高系统可靠性。
　　SOT23 小型化封装不仅节省 PCB 空间，而且具有良好的散热性能，通过 PCB 铜箔即可有效散热。器件符合 AEC-Q101 汽车级认证，表明其在振动、湿度、温度循环等严苛条件下仍能保持长期可靠性，因此也可用于汽车电子中的低功率控制模块。Nexperia 提供完整的 SPICE 模型和热仿真数据，便于工程师进行电路仿真与热设计验证，从而加快产品开发周期。

应用

UMX3 广泛应用于需要小型化、低功耗和高效开关的电子系统中。在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中，常被用作电源域切换、背光 LED 控制、USB 端口电源管理或电池充放电路径控制。由于其支持逻辑电平直驱，非常适合与 MCU、FPGA 或 PMIC 配合使用，作为负载开关来启用或禁用子系统以实现节能目的。在工业自动化领域，UMX3 可用于传感器信号通断、继电器驱动缓冲级或 PLC 数字输出模块中的初级开关元件。
　　在通信设备中，它可用于 RF 开关偏置控制或天线调谐电路中的直流馈电路径管理。此外，UMX3 也被用于各类电池供电设备，如无线传感器节点、IoT 终端和医疗监测设备，负责切断未使用模块的供电以延长续航时间。其快速响应能力和低静态功耗使其成为理想的选择。在汽车电子中，尽管功率有限，但 UMX3 仍可用于车内照明调光、按钮背光控制、CAN 总线终端使能等低电流应用场景。同时，其高抗扰度和稳定的电气特性也适用于电磁干扰较强的环境中执行精确的开关操作。