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STH6N95K5-2 发布时间 时间:2025/6/6 8:54:22 查看 阅读:6

STH6N95K5-2 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沯道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
  该器件主要设计用于要求高效能和低损耗的电路中,其封装形式为 STPAK 封装,有助于提高散热性能和电流处理能力。

参数

最大漏源电压:95V
  连续漏极电流:170A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:360nC
  开关速度:快速
  封装类型:STPAK

特性

STH6N95K5-2 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,能够承受高达 170A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,适合高频应用。
  4. 出色的热性能,确保在高功率密度下的稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
  6. STPAK 封装提供卓越的电气和热连接性能,同时简化了 PCB 设计。

应用

该器件广泛应用于需要高效功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
  1. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器。
  2. 工业电机驱动和伺服系统。
  3. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
  4. 不间断电源(UPS)系统。
  5. 各类 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
  6. 电池管理系统(BMS)中的开关组件。

替代型号

STH6N95K5-2L, IRF9540, FDP18N95

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STH6N95K5-2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥22.58000剪切带(CT)1,000 : ¥11.92008卷带(TR)
  • 系列MDmesh? K5
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)950 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.25 欧姆 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)13 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)450 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)110W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装H2Pak-2
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB