STH6N95K5-2 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沯道功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和电机驱动应用。
该器件主要设计用于要求高效能和低损耗的电路中,其封装形式为 STPAK 封装,有助于提高散热性能和电流处理能力。
最大漏源电压:95V
连续漏极电流:170A
导通电阻:1.4mΩ
栅极电荷:360nC
开关速度:快速
封装类型:STPAK
STH6N95K5-2 具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力,能够承受高达 170A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,适合高频应用。
4. 出色的热性能,确保在高功率密度下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
6. STPAK 封装提供卓越的电气和热连接性能,同时简化了 PCB 设计。
该器件广泛应用于需要高效功率管理的场合,包括但不限于以下领域:
1. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器。
2. 工业电机驱动和伺服系统。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源应用。
4. 不间断电源(UPS)系统。
5. 各类 DC-DC 转换器和 AC-DC 转换器。
6. 电池管理系统(BMS)中的开关组件。
STH6N95K5-2L, IRF9540, FDP18N95