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UMX1NTN 发布时间 时间:2025/5/24 9:59:54 查看 阅读:13

UMX1NTN 是一款基于 CMOS 工艺制造的低压差线性稳压器(LDO),主要用于便携式设备和低功耗应用中。该芯片具有高纹波抑制比、低静态电流以及快速瞬态响应等特点,能够为各种敏感负载提供稳定且干净的电源输出。
  该芯片广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域,其紧凑的封装形式和出色的性能使其成为设计人员的理想选择。

参数

输入电压范围:2.3V 至 5.5V
  输出电压范围:0.8V 至 3.3V
  输出电流:最大 300mA
   dropout电压:典型值 200mV
  静态电流:典型值 20uA
  纹波抑制比:70dB(1kHz)
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃
  封装形式:SOT-23, SOT-89

特性

UMX1NTN 具有以下主要特性:
  1. 高 PSRR 性能,能够在高频条件下有效降低噪声干扰。
  2. 内置过流保护、过温保护和短路保护功能,确保芯片在异常情况下的安全性。
  3. 超低的静态电流设计延长了电池供电设备的使用寿命。
  4. 快速的负载和线路瞬态响应,适合动态变化较大的应用场景。
  5. 提供多种固定输出电压选项,同时支持通过外部电阻调整输出电压。
  6. 封装小巧,易于集成到空间受限的设计中。

应用

UMX1NTN 主要应用于以下场景:
  1. 消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  2. 无线通信模块,包括蓝牙、Wi-Fi 和 Zigbee 等。
  3. 电池供电系统,例如便携式医疗设备、手持扫描仪等。
  4. 微控制器及 DSP 的电源管理部分。
  5. 工业自动化设备中的低功耗子系统。
  由于其低功耗和高稳定性特点,这款 LDO 特别适合需要长时间运行且对电源质量要求较高的场合。

替代型号

AP1117, LD1117, MCP1700

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UMX1NTN参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)150mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1mA,6V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换180MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装UMT6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称UMX1NTNTR