时间：2025/3/26 16:42:29
阅读：11
UMW11NTR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率开关和负载控制应用。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合在中小功率电路中使用。该器件采用小型化封装技术，能够在紧凑的空间内提供高效的性能。
该 MOSFET 的设计使得其在各种电子设备中表现出优异的效率和可靠性，例如电源管理、电机驱动以及信号切换等场景。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：11A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够降低功耗并提高效率。
2. 高速开关能力，确保在高频应用中的良好表现。
3. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
4. 较高的雪崩能量耐受能力，增强了器件的耐用性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
这些特性使其成为中小功率转换器、负载开关和电池保护的理想选择。
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池保护电路
5. 负载开关
6. 工业自动化设备中的信号切换
由于其高效能和稳定性，这款 MOSFET 在消费类电子产品、工业设备及汽车电子系统中均有着广泛的用途。
UMW11NTP, IRLZ44N, AO3400
