UMV1H3R3MFD是一种由松下(Panasonic)公司生产的多层陶瓷电容器(MLCC),属于其高性能电容产品线的一部分。该器件主要用于需要高稳定性和低等效串联电阻(ESR)的应用场合,例如电源去耦、滤波和旁路电路。这款电容采用微型表面贴装封装,适合在空间受限的高密度印刷电路板上使用。其标称电容值为3.3pF,额定电压为50V,具有良好的温度稳定性和频率响应特性。由于采用了X7R介电材料,该电容器能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内,适用于工业级和汽车级电子设备。此外,UMV1H3R3MFD符合RoHS环保标准,并具备无铅焊接兼容性,适用于现代自动化回流焊工艺。该型号常用于高频模拟电路、射频模块、DC-DC转换器输入输出滤波以及各类便携式消费电子产品中。
电容值:3.3pF
容差:±20%
额定电压:50V
介电材料:X7R
温度范围:-55°C ~ +125°C
封装尺寸:0402(1005公制)
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
绝缘电阻:≥5000MΩ 或 ≥500MΩ·μF
等效串联电阻(ESR):典型值低于100mΩ(具体取决于应用频率)
介质耐压:≥1.5倍额定电压
老化率:约2.5%每十年(在+25°C下)
UMV1H3R3MFD作为一款高性能的多层陶瓷电容器,具备优异的电气稳定性与机械可靠性。
首先,其采用X7R类II型介电材料,这种材料在宽温度范围内表现出较小的电容漂移,确保了在极端环境下的性能一致性。即使在-55°C到+125°C的工作区间内,电容值的变化仍能控制在±15%以内,这对于需要长期稳定运行的工业控制系统、汽车电子模块以及通信设备至关重要。
其次,该电容器具有极低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),使其非常适合用于高频去耦和噪声抑制场景。在GHz级别的射频电路中,它可以有效滤除高频干扰信号,提升系统信噪比与抗干扰能力。
再者,UMV1H3R3MFD采用先进的叠层制造工艺,内部电极交替排列,增强了结构强度并降低了热应力导致的开裂风险。同时,外电极经过三层端子结构设计(镍阻挡层+锡覆盖层),提高了耐湿性和焊接可靠性,避免因潮湿环境或多次回流焊引起的失效问题。
此外,该器件符合AEC-Q200汽车级认证标准,适用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块及车身控制单元等对可靠性和寿命要求严苛的应用领域。
最后,其0402小型化封装(1.0mm × 0.5mm)极大地节省了PCB布局空间,适应当前电子产品向轻薄化、高集成度发展的趋势。配合松下严格的品质管控体系,UMV1H3R3MFD在批量生产中表现出高度的一致性与良品率,是高端电子设计中的优选被动元件之一。
UMV1H3R3MFD广泛应用于多种高性能电子系统中。
在通信设备方面,它常被用作射频前端模块中的匹配网络电容、滤波器组件或本振电路中的旁路元件,凭借其稳定的电容特性和低损耗表现,有助于维持信号通路的阻抗匹配和频率精度。
在电源管理领域,该电容可用于DC-DC变换器的输入/输出端进行高频去耦,有效降低电压纹波,提高电源效率和瞬态响应能力。
在汽车电子中,由于其具备良好的温度适应性和振动耐受性,被大量应用于发动机控制单元(ECU)、车载摄像头模组、雷达感应器和电池管理系统(BMS)中,发挥滤波和稳压作用。
此外,在工业自动化设备如PLC控制器、伺服驱动器以及医疗仪器中,UMV1H3R3MFD也承担着关键的信号耦合与噪声抑制功能。
消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备同样大量采用此类小尺寸高可靠性电容,以满足紧凑布局和长期稳定运行的需求。
综上所述,该型号适用于所有对空间、稳定性和高频性能有较高要求的现代电子设计场景。
GRM155R71H3R3CA01D
CC0402JRNPO9BN3R3
RLUP1804VC3R3