制造商: Vishay Semiconductors
　　产品系列: UMT
　　二极管类型: PIN 二极管
　　封装/外壳: SOD-923
　　工作温度范围: -55°C ~ 150°C
　　最大反向电压 (Vr): 70 V
　　平均整流电流 (Io): 200 mA
　　正向电压 (Vf): 1.1 V（典型值，@ 10 mA）
　　反向恢复时间 (trr): 1 ns（典型值）
　　结电容 (Cj): 0.4 pF（典型值，@ 1 MHz, 0 V）
　　峰值脉冲电流 (Ifsm): 1 A
　　功率耗散 (Pd): 200 mW
　　阈值频率: >1 GHz
　　ESD 耐压: >8 kV（人体模型）

UMT1H3R3MDD1TD 的核心优势在于其卓越的高频响应能力和紧凑的物理尺寸，这使得它成为现代射频电路设计的理想选择。该 PIN 二极管通过精确控制 P 区和 N 区之间的本征层（I 层）来实现低电容和高速开关性能。其典型的结电容仅为 0.4 pF，在 1 GHz 及以上频率下仍能保持良好的信号完整性，有效减少插入损耗并提升系统的整体效率。这种低电容特性特别适合用于天线调谐、RF 开关和可变衰减器等对寄生效应敏感的应用场景。
　　另一个显著特点是其极短的反向恢复时间（trr），典型值仅为 1 纳秒。这意味着该二极管可以在极高频率下快速完成从导通到截止状态的切换，从而支持高速数字调制信号的处理。这一特性对于时分双工（TDD）系统或需要动态切换发射与接收路径的无线设备至关重要。同时，较低的正向压降（1.1 V @ 10 mA）有助于降低功耗，提高能源利用效率。
　　SOD-923 封装不仅提供了出色的热稳定性和机械强度，还支持自动化贴片生产流程，提升了大规模制造的一致性和良率。该器件经过优化设计，具备较强的抗静电能力，可承受超过 8 kV 的人体模型 ESD 冲击，显著增强了在复杂电磁环境下的运行稳定性。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在极端环境条件下依然能够可靠工作，适用于工业级和汽车级应用需求。综合来看，UMT1H3R3MDD1TD 凭借其高频性能、小型化、高可靠性和兼容性，已成为当前主流射频前端模块中的关键组件之一。

UMT1H3R3MDD1TD 主要应用于各类高频电子系统中，尤其是在无线通信领域表现突出。它常被用作射频开关中的控制元件，能够在发射和接收通道之间快速切换，广泛用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑内置的 Wi-Fi 和蓝牙模块中。由于其低电容和高线性度特性，该二极管也适用于构建高性能的可变衰减器电路，用于调节射频信号强度以适应不同传输距离和环境条件的需求。
　　在蜂窝通信基础设施方面，该器件可用于基站前端模块中的信号路由和阻抗匹配网络，帮助提升系统灵敏度和抗干扰能力。此外，在卫星通信、GPS 接收器和物联网（IoT）终端设备中，UMT1H3R3MDD1TD 因其微型封装和高效能表现而受到青睐。其快速开关能力也使其适用于雷达系统和测试测量仪器中的高速信号控制路径。
　　该二极管还可用于保护敏感的射频集成电路（RFIC）免受过压或静电放电的影响，作为限幅器或箝位电路的一部分。在多频段或多模通信设备中，它可以协助实现天线调谐功能，动态调整天线阻抗以优化辐射效率。总体而言，该器件适用于所有需要在高频环境下实现低损耗、高速切换和高可靠性的电子系统，是现代射频设计中不可或缺的基础元件。

UMT1H3R3MDD1TB
　　UMT1H3R3MDD1TC
　　BAS70-04