时间：2025/5/9 12:54:01
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UMR11NTR 是一款单通道、低导通电阻的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用小型化封装，广泛用于需要高效开关和低功耗的应用场景中。其出色的电气特性和紧凑的外形使其成为消费电子、工业控制以及通信设备的理想选择。
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：4.8A
导通电阻（Rds(on)）：35mΩ（典型值，Vgs=10V）
总功耗（Ptot）：0.79W
结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
UMR11NTR 具有低导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高效率。
该器件支持逻辑电平驱动，这意味着可以直接由常见的微控制器或逻辑电路进行控制而无需额外的驱动电路。
其 SOT-23 封装形式提供了良好的热性能，并且非常节省空间，适合便携式和高密度设计应用。
MOSFET 的快速开关能力使得它非常适合高频开关电源、负载开关以及其他脉宽调制 (PWM) 应用。
此外，该器件具有较高的浪涌电流承受能力，能够在短时间内处理超过额定电流的脉冲。
UMR11NTR 常用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动器、电池保护电路等场合。
在消费电子产品中，它可以作为音频放大器的开关元件。
工业领域中，该器件可用于各类传感器接口和信号调节电路。
通信设备中，UMR11NTR 可以用作电源管理模块的关键组件。
AO3400
FDC6551
IRLML6401
