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AON6576 发布时间 时间:2025/4/29 10:59:34 查看 阅读:2

AON6576 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor(万国半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程技术制造,具有较低的导通电阻和良好的开关性能,适合用于多种高效能功率转换应用中。
  AON6576 的封装形式为 LFPAK88(也称为 D2PAK-7 或 PowerSO8),这种封装提供了极佳的散热性能以及低寄生电感特性,使其非常适合高频和大电流应用环境。

参数

漏源电压:30V
  连续漏极电流:149A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  栅极电荷(典型值):95nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

AON6576 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,可以满足大功率应用场景的需求。
  3. 快速开关性能,适用于高频功率转换器设计。
  4. 具备坚固的雪崩能力和短路耐受能力,提升了产品的可靠性。
  5. 采用 LFPAK88 封装,提供优秀的热性能和电气性能。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
  AON6576 的这些特性使得它在众多功率应用领域中表现出色,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关等。

应用

AON6576 广泛应用于以下领域:
  1. 通信电源和服务器电源中的同步整流电路。
  2. 工业设备中的电机控制和驱动电路。
  3. 高效 DC-DC 转换器和 PFC(功率因数校正)电路。
  4. 各种负载开关和保护电路。
  5. 大电流电池管理系统的充放电控制。
  由于其出色的性能和高可靠性,AON6576 成为许多需要高效能和高电流处理能力的设计的理想选择。

替代型号

AOTF6576, IRF3205, SI4473DY

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AON6576参数

  • 现有数量0现货
  • 价格3,000 : ¥1.88900卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)26A(Ta),32A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.7 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)27 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1320 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)5W(Ta),26W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线