型号：UMP1H3R3MDD
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20 V
　　最大栅源电压（VGS）：±8 V
　　连续漏极电流（ID）：-5.6 A（@TC=70℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-14 A
　　导通电阻（RDS(on)）：33 mΩ（@VGS=-4.5 V）
　　导通电阻（RDS(on)）：42 mΩ（@VGS=-2.5 V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.5 V ~ -1.0 V
　　输入电容（Ciss）：690 pF（@VDS=10 V）
　　输出电容（Coss）：340 pF（@VDS=10 V）
　　反向传输电容（Crss）：70 pF（@VDS=10 V）
　　栅极电荷（Qg）：11 nC（@VGS=-4.5 V）
　　功耗（PD）：2.5 W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L

UMP1H3R3MDD采用Vishay专有的先进沟道MOSFET技术，具备出色的电气性能和热稳定性。其低导通电阻特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率，特别适用于电池供电设备等对能效要求较高的应用场景。该器件的RDS(on)在-4.5V和-2.5V的栅极驱动电压下分别仅为33mΩ和42mΩ，这使得它能够在低电压逻辑控制下实现高效开关操作，兼容现代微控制器和数字控制IC的输出电平。
　　该MOSFET具有快速开关能力，得益于较低的栅极电荷（Qg = 11nC）和寄生电容，能够有效减少开关过程中的能量损耗，提升高频工作的稳定性与效率。此外，其输入、输出及反向传输电容的优化设计有助于降低电磁干扰（EMI），提升系统的电磁兼容性。器件的阈值电压范围合理，确保在不同工作条件下均能可靠开启与关断，避免误触发或导通延迟问题。
　　UMP1H3R3MDD采用PowerPAK SO-8L封装，该封装具有优异的散热性能，通过底部暴露焊盘可将热量高效传导至PCB，从而提升功率密度和长期运行可靠性。该封装还支持自动化贴片生产，符合现代电子制造工艺要求。器件符合RoHS环保标准，无铅且绿色环保，适用于消费类电子、工业控制、通信设备等多种领域。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，增强了系统的环境适应性。

UMP1H3R3MDD广泛应用于各类中低功率开关电路中，典型应用场景包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、热插拔控制器以及便携式电子设备的电源管理模块。在同步降压转换器中，该P沟道MOSFET常作为高端开关使用，利用其低导通电阻和快速响应特性来提升转换效率并减少发热。在电池供电系统中，它可用于电源路径控制，实现充放电管理与系统电源切换，保障设备安全运行。
　　此外，该器件也适用于各类过流保护和热保护电路，作为电子保险丝或功率开关元件，提供快速响应的断路功能。在工业控制领域，UMP1H3R3MDD可用于驱动继电器、电磁阀或小型直流电机，实现精确的功率控制。由于其表面贴装封装和小尺寸特性，特别适合空间受限的高密度PCB设计，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。在通信设备中，它可用于电源轨切换和电压调节模块，确保各功能单元的稳定供电。总之，该MOSFET凭借其高性能和高可靠性，已成为现代电源管理设计中的关键组件之一。

[
　　 "SiR144DP-T1-GE3",
　　 "AO4407A",
　　 "FDN360P",
　　 "FDMC86282"
　　]