UMN1N 时间：2025/7/4 0:46:02 阅读：19

UMN1N是一款小信号NPN晶体管，广泛应用于各种电子电路中，如放大器、开关电路等。该晶体管具有低噪声、高增益和快速响应的特点，适合于高频应用。其封装形式通常为TO-92，这种封装小巧轻便，便于安装在印刷电路板上。
　　UMN1N的设计使其能够在较高的频率下稳定工作，同时保持良好的电气性能。它适用于需要低功耗和高效率的场合。

参数

集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：200mA
　　功率耗散（Ptot）：625mW
　　直流电流增益（hFE）：最小值100，最大值400
　　过渡频率（fT）：300MHz
　　存储温度范围：-55℃至+150℃
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

UMN1N的主要特性包括：
　　1. 高增益范围（hFE在100到400之间），适合用于需要较大信号放大的场合。
　　2. 高速切换能力，过渡频率达到300MHz，能够支持高频应用。
　　3. 小型TO-92封装，便于集成到紧凑型设计中。
　　4. 宽泛的工作温度范围（-55℃至+150℃），适应恶劣环境下的使用。
　　5. 较高的集电极-发射极电压（50V），确保在较高电压条件下可靠运行。
　　这些特性使得UMN1N成为众多电子设备中的理想选择，尤其是在对空间和性能有严格要求的应用场景中。

应用

UMN1N晶体管的典型应用场景包括：
　　1. 音频放大器：由于其高增益和低噪声特性，非常适合用作音频信号的放大元件。
　　2. 开关电路：凭借其快速的切换速度，可用于数字电路中的开关功能。
　　3. 脉冲调制电路：利用其高频性能，在脉冲生成和处理电路中表现出色。
　　4. 传感器接口：可以作为传感器信号的放大或驱动元件。
　　5. 无线通信设备：由于其高频性能，可被用于射频前端电路或信号调节模块中。
　　总的来说，UMN1N适用于任何需要高性能、低功耗的小信号晶体管的场合。