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UMMSZ5255B 发布时间 时间:2025/12/27 8:29:28 查看 阅读:8

UMMSZ5255B是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装齐纳二极管,属于UMMSZ52xxB系列。该器件采用微型SOD-123封装,适用于需要小尺寸、高精度电压参考的应用场景。其标称齐纳电压为3.6V,在规定的测试电流下具有稳定的电压调节性能。这款齐纳二极管设计用于低功率稳压电路,能够在正向或反向偏置条件下工作,但主要作为反向击穿模式下的电压钳位或参考源使用。由于采用了先进的半导体工艺,UMMSZ5255B具备良好的温度稳定性和长期可靠性,适合在便携式电子设备、电源管理模块、信号调理电路以及各种消费类电子产品中应用。该器件符合RoHS环保要求,支持无铅焊接工艺,并具有优异的防潮性能和机械强度,确保在自动化贴片生产过程中保持高良率。此外,其紧凑的外形使得它非常适合空间受限的设计环境,如智能手机、可穿戴设备和物联网终端等高密度PCB布局场合。

参数

类型:齐纳二极管
  封装/外壳:SOD-123
  齐纳电压(Vz):3.6V @ 20mA
  容差:±5%
  最大耗散功率:500mW
  测试电流(Iz):20mA
  最大齐纳阻抗(Zzt):10Ω
  漏电流(Ir):1μA @ 1V
  工作结温范围:-65°C ~ +175°C
  温度系数:+4.8mV/°C(典型值)

特性

UMMSZ5255B齐纳二极管的核心特性之一是其精确且稳定的电压参考能力。在20mA的测试电流下,其标称齐纳电压为3.6V,容差控制在±5%以内,这使其能够为模拟电路、ADC基准、逻辑电平转换等应用提供可靠的电压基准。该器件的动态电阻(Zzt)在额定工作条件下不超过10Ω,表明其在负载变化时仍能维持较小的输出电压波动,提升了系统的稳定性。
  另一个关键优势在于其热性能表现。尽管采用小型SOD-123封装,但UMMSZ5255B的最大功耗可达500mW,得益于优化的芯片结构和封装材料,能够在有限的空间内有效散热。同时,其工作结温范围宽达-65°C至+175°C,使其适用于极端温度环境下的工业控制、汽车电子及户外设备。
  该齐纳二极管还具备较低的漏电流特性,在反向电压仅为1V时漏电流不超过1μA,这意味着在未达到击穿电压前,器件几乎不导通,有助于降低待机功耗。此外,其温度系数为+4.8mV/°C,虽然为正值,但在实际应用中可通过与负温度系数元件(如BJT基射结)组合使用来实现温度补偿,从而构建更精密的参考源。
  SOD-123封装不仅体积小巧(约2.7mm x 1.6mm x 1.1mm),而且引脚兼容性强,便于替换其他厂商同规格产品。其无铅设计和符合JESD-625标准的焊接要求,支持回流焊和波峰焊等多种组装工艺,适应现代高速SMT生产线的需求。整体而言,UMMSZ5255B是一款集高精度、小尺寸、良好热稳定性和环保合规性于一体的高性能齐纳二极管,广泛应用于各类中低端电压稳压与保护电路中。

应用

UMMSZ5255B常用于需要稳定3.6V参考电压的电路设计中,典型应用场景包括便携式电池供电设备中的电压监测与保护电路,例如智能手机、平板电脑和蓝牙耳机等。在此类系统中,它可以作为微控制器复位电路的阈值检测元件,确保电源电压低于安全值时及时触发复位,防止逻辑紊乱。
  在电源管理系统中,该器件可用于低压LDO稳压器的反馈网络,辅助实现精确输出调节;也可作为过压保护(OVP)电路的一部分,当输入电压异常升高时,通过齐纳击穿将多余能量泄放到地,保护后级敏感器件。
  在信号调理电路中,UMMSZ5255B可用于钳位交流或脉冲信号的峰值电压,防止信号幅度过大损坏ADC输入端口或其他模拟前端组件。此外,在数字逻辑电平转换电路中,它可以配合限流电阻为不同电压域之间的接口提供简单的电平偏移功能,尤其适用于3.3V与更低核心电压系统之间的过渡设计。
  由于其良好的温度稳定性和长期可靠性,该器件也常见于工业传感器模块、智能家居控制板、车载信息娱乐系统以及医疗监测设备中的辅助稳压单元。其SOD-123封装形式特别适合高密度PCB布局,满足现代电子产品对小型化和轻薄化的设计趋势。

替代型号

MMSZ5255B-7-F,MMSZ5255BW-7,MMSZ5255BLP

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